İstiqamət: Yarımkeçiricilər fizikası
1. A3B6 , A2B6 və A1B3C6 -tipli yarımkeçirici birləşmələrin nazik təbəqə və nanoquruluşların termik buxarlandırma və lazer ablyasiyası üsulları ilə alınması və onlarda qeyri-tarazlıqlı elektron hadisələrinin tədqiqi.
Mövzunun rəhbəri: professor Vaqif Salmanov
İcraçılar: Vaqif Salmanov, Əli Hüseynov, Lüdmilla Həsənova, Adilə Abasova, Əlinağı Məhəmmədov, Sona Cahangirova, Rövşən Məmmədov, Fidan Əhmədova
Məqsəd: A3B6, A2B6 və A1B3C6 - tipli yarımkeçirici birləşmələrin nazik təbəqə və nanoquruluşların müəyyən stexiometrik tərkiblərdə nazik təbəqələrinin müxtəlif üsullarla alınması texnologiyasını işləmək, nümunələrdə fotoelektrik və lüminessent xassələri geniş temperatur və optik diapazonlarda tədqiq etməklə xüsusiyyətlərinin praktiki tətbiq sahələrini müəyyən etmək.
Nəticə: Kation və anion məhlullarında A3 və B6 elementlərinin lazer ablyasiyası üsulu ilə A3B6, A2B6 birləşmələrinin nazik təbəqələrini almaq və onların elektrofiziki və optik xassələrini tədqiq etmək. Vakuumda termik buxarlandırma üsulunun modifikasiyası vasitəsilə A1B3C6 -tipli yarımkeçirici birləşmələrin nazik təbəqələrini almaq və onların fiziki-kimyəvi və fotoelektrik xassələrini tədqiq etməklə praktiki əhəmiyyət kəsb edən xüsusiyyətlətini müəyyən etmək
Təcrübi əhəmiyyəti: A3B6, A2B6 nanozərrəciklərinin lüminessensiya və A1B3C6 tpli birləşmələrin fotoelektrik xassələrinin tədqiqi nəticəsində müəyyən edilmiş xassələr əsasında opto- və fotoelektrik qeydedicilərdə tətbiqinin perspektivini göstətmək.