SEÇİLMİŞ ELMİ ƏSƏRLƏRİ

SCOPUS və Web of Science sistemində məqalələr:

  1. Aliev G.M., Mekhtieva S.I., Abdinov A.S. Electrical properties of liquid selenium. // Polymer Science USSR ,1968, 8 (9), 1831-1832
  2. BakhyshovE., Abdinov A.S., Aliev G.M. Interaction Of Thallium Admixtures In Selenium With Oxygen. // Russian Journal of Physical Chemistry, 1968, 42 (7), 880
  3. Veinger A.I., Paritsky L.G., Abdinov A.S. Some Features of Changes in the Mobility of Minority Carriers in Germanium Subjected to Strong Electric Fields. // Sov Phys Semiconductors. 1971. 5 (8), 1364-1368
  4. Veinger A.I., Abdinov A.S., Paritski L.G., Kramer N.I. Heating of Minority Carriers in Germanium Under Conditions of Strong Electron-Hole Interaction. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1971. 5 (10), 1706-1708
  5. Veinger A.I., Kramer N.I., Abdinov A.S., Paritski L.G. Thermophotoelectric Effect Due To Heated Carriers In Germanium. // Soviet Physics Semiconductors-USSR, 1972. 6 (2), 299-305
  6. Veinger A.I., Paritsky L.G., Abdinov A.S. Influence of Majority Carriers on the Mobility of Minority Carriers in Ge Subjected to Pulsed Electric Fields. // Phys. Semiconductors, 1972. 6 (3), 410-413.
  7. Veinger A.I., Paritsky L.G., Abdinov A.S. Influence of High Microwave Electric-Fields on Mobility of Minority Holes Interacting Strongly with Electrons in Germanium. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1972. 6 (3), 505-+
  8. Veinger A.I., Abdinov A.S., Paritski L.G., Kramer N.I. Observation of a Benedicks Thermo-EMF in Homogeneous Germanium Heated by Microwave Fields. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1972. 6 (5), 788-793.
  9. Veinger A.I., Kramer N.I., Abdinov A.H., Dadamirzaev G. Benedicks Effect Due to Heating of Nonequilibrium Carriers by Microwave Fields in Ge. // Phys. Semiconductors. 1972. 6 (7), 1181-1183.
  10. Akhundov G.A., Mektiev N.M., Abdinov A.S. S-elements based GaSe type laminar semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (a). 1973. Vol.15. p. k33-k35.
  11. Akhundov G.A., Abdinov A.S., Mekhtiev N.M., Kyazim-zade A.G. About the switching phenomenon in GaSe. // Phys. Tech. Semicond. 1973. 7 (9), 1830-1833
  12. Akhundov G.A., Abdinov A.S., Mekhtiev N.M., Kyazim-zade A.G. Hot charge carriers generated by a power SHF electric field in n-type indium selenide. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1974. 8 (1), 192-195.
  13. Akhundov G.A., Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Mekhtiev N.M. Electroluminescent Switch Made of GaS Layered Semiconductor. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1975. 9 (5), 642-643
  14. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Study on hot charge carriers formed by shf strong electric field in n-InSe monocrystals. // Tekh. Poluprovodn.; (USSR). 1975. 9 (8)
  15. Abdinov A.S.,, Alıev M.G., Mekhtıev N.M., Kyazymzade A.G. Injection of Electrons and Electron Trapping Levels in High-Resistivity Gallium Sulfide Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR, 1975. 9 (7), 947-948
  16. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Investigation of Hot Carriers Generated by a Strong Microwave Electric-Field in n-type InSe Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1975. 9 (8), 1029-1031.
  17. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Photomemory and Electromemory Phenomena in High-Resistivity n-Type InSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1975. 9 (9), 1113-1115.
  18. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Photoelectric Memory Effect in p-Type GaSe. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1975. 9 (11), 2135-2138
  19. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Negative Residual Photoconductivity in InSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1975. 9 (12), 1537-1538.
  20. Akhundov G.A., Abdinov A.S., Mekhtiev N.M., Kyazim-zade A.G. Electroluminescence of indium selenide single crystals. // Optics and Spectroscopy. 1975. 38 (5), 548-549
  21. Akhundov G.A., Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Mekhtiev N.M. Thermo-emf due to heating of carriers by a microwave electric field applied to a semiconductor compound InSe. // Phys.-Semicond. (Engl. Transl.), 1975. v. 8, no. 12, pp. 1508-1510
  22. Abdinov A. Sh., Kyazym-zade A.G., Mekhtiev N.M., Khomutova M.D., Sharipov A.G. Investigation of the Current-Voltage Characteristics of the Layered Semiconductor n-Type InSe. // Soviet Physics-Semiconductors. 1976. 10 (1), 44-47.
  23. Abdinov A. Sh., Kyazym-zade A.G. Negative Photoconductivity and Quenching of the Photocurrent in n-type InSe Under Impurity Excitation Conditions. // Soviet Physics-Semiconductors. 1976. 10 (1), 47-50.
  24. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Electric field effect on anomalous photoconductivity in the n-InSe monocrystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1976. 10 (5), 980-981.
  25. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Influence of Electric Fields on the Anomalous Photoconductivity of n-Type InSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1976. 10 (5), 579-580
  26. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G. Effect of an Electric Field on the Anomalous Photoconductivity in n-Type InSe Single Crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1976. 10 (5), 980-981
  27. Abdinov A.H., Dzhafarov K. Hot-Carrier Thermo-EMF of Heat Treated Ge-Si Alloy Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1976. 10 (7), 812-813
  28. Abdinov A.H. Thermo-EMF of the Hot Carriers in Heat-Treated Ge-Si Alloy Single Crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1976. 10 (7), 1369-1372.
  29. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Generation of Electrical Pulses in InSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1976. 10 (10), 1178-1179.
  30. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Electric-Field-Stimulated Conduction in High-Resistivity GaSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1976. 10 (12), 1364-1366.
  31. Abdinov A.S., Dzhafarov K.A., Tagirov V.I. Heating of Carriers by a Strong Microwave Electric-Field in Heat-Treated Ge-Si Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1977. 11 (1), 36-38.
  32. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Anomalous Photoconductivity of InSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1977. 11 (2), 227-228
  33. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Oscillations in the Current Induced by Impurity-Absorbed Infrared Radiation in InSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1977. 11 (5), 529-532.
  34. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Current Oscillations Induced by'Impurity' Infra-Red Light in InSe Single Crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1977. 11 (5), 899-903
  35. Abdinov A.H., Khalilova E.I., Tagirov V.I. Heating of Carriers by a Very-High-Frequency Electric Field in p-type Ge-Si Single Crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1977. 11 (5), 1004-1005.
  36. Abdinov A.H., Khalilova E.I., Tagirov V.I. Hot Electrons Created by a Strong Very-High-Frequency Electric Field in n-Type Ge-Si Crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1977. 11 (5), 1005.
  37. Abdinov A.H., Khalilova E.I., Tagirov V.I. Thermo-emf Due to the Heating of the Carriers by a Very High-Frequency Electric Field in Ge-Si Single Crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1977. 11 (5), 1006.
  38. Abdinov A.H., Khalilova E.I., Tagirov V.I. Thermo-photo-emf Attributable to the Heating of the Carriers in Ge-Si Single Crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1977. 11 (5), 1006.
  39. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Low-Frequency Oscillations of the Current in InSe Single Crystals. // Soviet Physics-Semiconductors. 1977. 11 (10), 1188-1189.
  40. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Negative Photoconductivity Induced by an Electric-Field in Gallium Selenide Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1978. 12 (6), 638-641
  41. Abdinov A.S., Kyazim-zade A.G., Akhmedov A.A. Negative Residual Photoconductivity in p-Type GaSe Single Crystals. // Phys. Semicond., 1978. 12 (9), 1041-1043.
  42. Abdinov A.S., Akhmedov A.A., Mamedov V.K., Salaev E. Impurity Photoconductivity of GaSe Induced Illumination Corresponding to the Fundamental Absorption Region. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1980. 14 (1), 95-98
  43. Abdinov A.S., Akperov Y.G., Mamedov V.K., Salaev E. Phototrigger effect in indium and gallium selenide single crystals // Sov. Phys. Semicond. 1980. 14 (4), 440-442.
  44. Abdinov A.S., Mamedov V.K., Salaev E.U. Thermal-Electrical Instability and Low-Frequency Oscillations of the Current in Gallium Selenide Single Crystals. // Phys. Semicond. 1980. 14 (4), 442-445
  45. Abdinov A.S., Mamedov V.K. Photoconductivity of n-Type CuInSe2 Single Crystals. // Phys. Semicond. 1980. 14 (5), 526-528
  46. Abdinov A.S., Akperov Y.G., Mamedov V.K., Salaev E. Slowly Relaxing Conductivity Excited by an Electric-Field in Indium and Gallium Selenide Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1981. 15 (1), 66-70
  47. Abdinov A.S., Mamedov V.K., Nurullaev Y.G. Heating of Carriers in CuİnSe2 by Microwave Electric Field. // Phys. Semicond., 1981. 15 (2), 149-152.
  48. Abdınov A.S., Salaev E.Y. Injection-Induced Impurity Breakdown in Gallium Selenide Single-Crystals and Resultant Low-Frequency Oscillations of the Current. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1981. 15 (3), 260-263.
  49. Abdinov A.S., Kyazymzade A.G., Mamedov V.K., Tagirov V.I. Electrical and Photoelectric Properties of p-GaSe-n-CuInSe2 Heterojunctions. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1981. 15 (3), 345-346
  50. Salaev E.Y., Abdınov D.S., Ismaılov F.I., Ismaılov I.K., Novruzova F.M., Abdınov A.S. Dependence of the Electrical-Conductivity of p-type CdxHg1-XTe Solid-Solution Single-Crystals on the Intensity of a Strong Microwave Electric-Field. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1981. 15 (5), 513-516.
  51. Abdinov A.Sh., Akhmedov A.A. Interband-Illumination-Induced Impurity Photoconductivity of Indium Selenide Single Crystals Exhibiting Residual Conductivity. // Phys. Semicond., 1981. 15 (7), 724-726.
  52. Abbasov Sh. M., Abdinov A.Sh., Abiev A.K., Bakirov M. Ya., Gasumov G.M., Mamedov V.K. Electron radiation effect on charge-carrier heating by an electric field in Ge(1-x)Six monocrystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1981 15 (10), 1989-1993.
  53. Abdinov A.S., Gasanova L.G., Mamedov V.K. Absorption-band Edge of CuInSe2 Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1981. 15 (11), 1302-1303.
  54. Kyazymzade A.G., Tagirov V.I., Abdinov A.S., Mamedov V.K. Electrical and Photoelectric Properties of Isotypic n-InSe-n-CuInSe2 Heterojunctions. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1982. 16 (2), 222-223
  55. Abdinov A.S., Gasanov Y.G., Electrically Induced Impurity Photoconductivity of InSe Single-Crystals and Electric-Field-Stimulated Negative Photoconductivity and Residual Conductivity. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1982. 16 (5), 495-497.
  56. Abdinov A.S., Agaev R.R., Salaev E.Y., Seıdlı G.S. Influence of a Transverse Magnetic-Field on the Photoconductivity of Single-Crystals of p-type CdxHg1-xTe Solid-Solutions. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1982. 16 (5), 563-564
  57. Abdinov A.S., Gasanov Y.G., Magomedov A.Z., Salaev E.Y. Electric-Field-Induced Impurity Photoconductivity of Gallium Selenide Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1982. 16 (6), 615-617.
  58. Abdinov A.S., Gasanov Y.G., Mamedov F.I. Current-Voltage Characteristics of High-Resistivity Single-Crystals of III-VI-Layer Compounds. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1982. 16 (6), 638-641
  59. Abbasov S.M., Abdinov A.S., Abiev A.K., Bakirov M.Y., Nurullaev Y.G. Hot Carrier Thermo-e. m. f. Created by a Strong Microwave Electric Field in Ge1-xSix Single Crystals Irradiated with Fast Electrons. // Phys. Semicond. 1982. 16 (10), 1173-1174.
  60. Abdinov A.S., Agaev R.R., Kyazymzade A.G., Salaev E.Y., Seıdı G.S. Influence of Fluctuations of the Composition on the Photoelectric Properties of CdxHg1-xTe Solid-Solution Single-Crystals. // Soviet Physics Semiconductors-USSR. 1984. 18 (6), 675-676.
  61. Abdinov A.S., Efendıev K.I., Mamedov F.I., Salaev E.Y., Seidli G.S. Electrophysical properties of irradiated n-type CdxHg1-xTe single crystals in strong electric fields. // Mater. 1985. 21 (10). 1464-1467
  62. Abdinov A.S., Seidli G.S., Khydyrova E.B., Shukyurov N.M. Effects of composition inhomogeneity on the electrical and optical-properties of single-crystal CdxHg1-xTe (0,19≤x≤0,30). // Inorganic Materials. 1985. 21 (10), 1464-1466.
  63. Iskenderzade Z.A., Sadykov O.M., Abdinov A.S. Effect of gadolinium impurities on injection-induced impurity photocon­ductivity in InSe single crystals. // Phys. Stat. Sol (a). 1985. Vol. 92. p.k77-k80
  64. Abdinov A.S., Guseinov A.M., Nurullayev Yu.G., Sadykhov O.M. The influence of gadolinium doping on the switching effect in indium selenide single crystals. // Phys. Stat. Sol (a). 1989. Vol. 116. p.k173-k177.
  65. Dzhafarova S.Z., Ragimova N.A., Abutalybov G.I., Gusejnov A.M., Abdinov A.S. Excitor states in InSe and GaSe doped single crystals. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1991. 25 (6), 983-989.
  66. Abdinov A.S., Mamedov F.I., Seidli G.S. Electrophysical Characteristics of Gamma-Irradiated CdxHg1-xTe Single Crystals (0.24£x£40). // Inorganic materials. 1991. 27 (4), 575-577.
  67. Jafarova S.Z., Ragimova N.A., Abutalybov H.I., Abdinov A.S., Guseinov A.M. Effect of doping on exciton states in InSe and GaSe lamellar semiconductors. // Phys. Stat. Sol (a). 1991. Vol. 128. p.235-242.
  68. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Transient relaxation of dark current in pure and doped indium selenide crystals. // Inorganic Materials. 1994. vol. 30, no.3. p. 323-325.
  69. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. An impurity photoeffect in partially disordered InSe crystals doped with Dy. // Inorganic Materials. 1994. vol. 30, no. 7, p. 820–823.
  70. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Accumulation of weak optical signals and spectral memory in InSe<Dy> single crystals. // Inorganic Materials. 1995. vol. 31, no. 7, p. 822–823.
  71. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Slow isothermal relaxation of dark resistance in dysprosium-doped indium selenide single crystals. // Inorganic Materials. 1995. vol. 31, no. 8. P. 939–941
  72. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Nurullaev Yu.G. Resistivity oscillations in InSe single crystals. // Inorganic Materials. 1996. V. 32. No 12. P. 1265-1266.
  73. Abdinov A.Sh., Dzhafarov M.A., Nurullaev Yu.G., Babayeva R.F., Rzaev R.M. Effect of Dy doping on the photoelectric properties of GaSe single crystals. // Inorganic Materials. 1998. V. 34. No 3. P. 205-206
  74. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Dzhafarov M.A., Rzaev R.M., Ragimova N.A. Photoelectric behavior of GaSe single crystals doped with Dy. // Inorganic materials. 1999. V.35. № 4. P. 325-327.
  75. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F., Mamedov H.M., Babayeva R.F. Photoconductivity of Cd1-xZnxSe Films in IR Region Deposited from Solution. // Proceedings of SPIE. 16th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices. Moscow. 2000. V.4340. p. 112-116.
  76. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Mekhtiev N.M. Photosensitivity of the CdSSe films near the IR region. // Proceedings of SPIE. 16th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices. Moscow. 2000. V.4340. p. 107-111.
  77. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Ragimova N.A., Rzaev R.M., Eyvazova G.H. Sensitization of IR photosensitivity by electrical field in indium selenide layered crystals. // 17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices. Moscow. Proceedings of SPIE. 2002. V. 5126. p. 381-385.
  78. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F., Mamedov H.M. Functionalities of Cd1-x ZnxSe films deposited from a water solution in IR region of a spectrum. // 17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices. 2002. V. 5126. 444-450.
  79. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzaev R.M., Gasanov G.A. Photoluminescence of rare-earth-doped InSe and GaSe single crystals. // Inorganic materials. 2004. V.40. № 6. P. 567-569.
  80. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. About the mechanism of doping by rare-earth elements on photoluminescence of single crystals of A3B6 with layered structure. // J. Appl. Phys, 2004. 74-78
  81. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F. Photoelectric properties of films A2B2C6, deposited from a solution. // Proc. оf SPIE. 18th International Confe­rence on Photoelectronics and Night Vision Devices. Moscow. 2005. Vol. 5834. p.254-259
  82. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzaev R.M., Eyvazova G.H. The effect of doping of rare earth elements on initial and sensibilized IR-photosensitivity of layered indium selenide crystals. // 18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices; 2005; Proceedings V. 5834. p. 299-303.
  83. Babayeva R.F., Ismayilov R.M., Eyvazova G.H. Photoelectric properties of isotype heterojunctions n-InSe<REE>/n-CuInSe2 in visible and near-IR region. // 18th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices; 2005; Proceedings. V. 5834. p. 260-263.
  84. Abdinov A.Sh., Mamedov H.M., Hasanov H.A., Amirova S.İ. Photosensitivity of p, n-Si/n-Cd1-xZnxS heterojunctions manufactured by a method of electrochemical deposition. // Thin Solid Films. 2005. Vol. 480-481. p.388-391.
  85. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Bagirova A.T., Rzaev R.M. Effect of rare-earth doping on the electrical properties of InSe single crystals. // Inorganic materials. 2006. V.42. № 9. P. 937-941.
  86. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Bagirova A.T., Rzaev R.M. Photodetectors for visible and near infrared with controlled sensitivity on the basis of p-GaSe single crystals doped by rare-earth elements. // 19-th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices. Proc. of SPIE. 2006. Vol. 6636. p-66360G-1-66360G-4.
  87. Abdinov A.Sh., Mamedov H.M., Amirova S.İ. Preparation and investigation of electrodeposited p-Si/Cd3Zn0.7S0.4Se0.4 heterojunctions. // 19-th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices. Proc. SPIE. 2006. v.6636. p.986-990.
  88. Abdinov A.Sh., Mamedov H.M., Amirova S.İ. Investigation of electrodeposited p-Si/Cd1-xZnxS1-ySey heterojunction solar cells. // Thin Solid Films. 2006. Vol. 511-512. p.140-142.
  89. Abdinov A.Sh., MekhtievM., Mamedov G.M., Amirova S.İ. Electrical and photoelectric properties of electrochemically fabricated SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe solar cells. // Semiconductors. 2006. Vol. 40, Issue 12. P. 1442-1444.
  90. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F., Mammadova S.A. Solar Cells on the base of Cd1-xZnxS/CdSе1-xТex heterojunctions. // Technical and Physical Problems in Power Engineering, 2006. 1072-1074
  91. Abdinov A.Sh., Mamedov H.M., Garibov G.I., Amirova S.İ., Ragimova N.A. Heat treatment effects in In2O3/Cd4Zn0.6S0.9Se0.1/CdTe heterojunction solar cells. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. v.1. №9. p.480-483.
  92. Abdinov A.Sh., Mamedov H.M., Amirova S.İ. Investigation of electrodeposited Glass/SnO2/CuInSe2/Cd1-xZnxS1-ySey/ZnO thin solar cells. // Japanese Journal of Applited Physics. 2007. v.46. №11. p.7359-7361.
  93. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Mamedova S.A. Recombination processes in solution-grown CdSe1−xTex // Inorganic Materials. 2007. Vol. 43. Issue 3. P. 233-235.
  94. Muradov M.B., Abdinov A.Sh., Hacimamedov R.H., Eyivazova G.M. Dielectric properties of nanocomposites on the Basis of Copper Sulfide Nanoparticles and a Polymer Matrix. // Surface Engineering and Applied Electrohemistry, 2009, vol.45, № 2, pp.167-170 (Berlin).
  95. Abdinov A.Sh., Allakhverdiev Sh.A., Babayeva R.F., Rzaev R.M. Electrical conductivity of undoped and rare-earth-doped high-resistivity GaSe crystals. // Inorganic Materials, 2009, Vol. 45, No. 7, pp. 723–727.
  96. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzaev R.M., Amirova S.I. Temperature dependence of carrier mobility in undoped and gadolinium p-GaSe crystals. // Inorganic materials. 2012. vol. 48. no 6. pp. 559-562.
  97. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzaev R.M. Dependence of Carrier Mobility on an Electric Fieldin Gallium Selenide Crystals. // Semiconductors, 2012, Vol. 46, No. 6, pp. 730–735.
  98. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzaev R.M. Electric Field Effect on Photoconductivity Decay in n-InSe Single Crystals. // Inorganic Materials, 2012, Vol. 48, No. 8, pp. 781–785
  99. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Amirova S.I., Rzaev R.M. Effect of Temperature and Rare Earth Doping on Charge Carrier Mobility in Indium Monoselenide Crystals. // Semiconductors, 2013, Vol. 47, No. 8, pp. 1013–1017.
  100. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Gasanov Ya. G., Ragimova N.A., Rzaev R.M. Electric Field Effect on the Electrical Conductivity of InSe and InSe<Dy> // Inorganic Materials, 2013, Vol. 49, No. 12, pp. 1180–1186.
  101. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Ragimova N.A., Rzaev R.M., Amirova S.I. Effects of temperature and rare earth doping on the transport properties of GaSe crystals. // Inorganic Materials, 2014, Vol. 50, No. 4, pp. 334–338.
  102. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Amirova S.I., Ragimova N.A., Rzaev R.M. Effect of light on the mobility of free carriers in indium monoselenide crystals. // Semiconductors, 2014, Vol. 48, No. 8, pp. 981–985.
  103. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzaev R.M., Ragimova N.A., Amirova S.I. On the specific electrophysical properties of n-InSe single crystals. // Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 34–37.
  104. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Anomalies of the kinetic phenomena in semiconducting AIIIBVI compounds with a layered crystalline structure. // Conference Proceedings. Modern Trends in Physics. International Conference 20–22 April 2017, Baku. P.58-60.
  105. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Features of the Electron Mobility in the n-InSe Layered Semiconductor. // Semiconductors, 2018, Vol. 52, No. 13, pp. 1662–1668.
  106. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Peculiarities of kinetic coefficients of single crystals of a layered р-GaSe semiconductor. // Russian Physics Journal, Vol. 61, No. 9, January, 2019. P. 1667-1673.
  107. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Electroluminescence of p-GaSe⟨REE⟩ single crystals. // Inorganic Materials, 2019, Vol. 55, No. 4, pp. 325–330.
  108. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Temperature-dependent photoconductivity of n-InSe single crystals. // Inorganic Materials, 2019, Vol. 55, No. 8, pp. 758-764.
  109. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Influence of external and intracrystalline factors on the mobility of charge media in n-InSe single crystals. // Conference Proceedings Modern Trends in Physics Baku, 01-03 May, 2019. P. 24-26.
  110. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Flexible photocells based on layered AIIIBVI semiconductor compounds. // International Journal on Technical and Physical Problems of Engineering (IJTPE). 2019. Issue 40. Vol. 11. Number 3. P. 23-27.
  111. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Effect of random macroscopic defects on kinetic phenomena in a layered semiconductor n-InSe with strong electric fields. // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. 066047.
  112. Jafarov A., Abdinov A.Sh., Nasirov E. F., Jahangirova S. A. Zn1–xCdxS Nanoparticles Obtained by Laser Ablation. // Nanotechnologies in Russia. 2019. Volume 14, Issue 5-6, p.185-189.
  113. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Thermo-e.m.f. of hot current carriers in non-doped and doped crystals of a layered semiconductor n-InSe. // Journal of Physics: Conference Series. 2020 vol. 1697. 012065.
  114. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Effects of Rare-Earth (Gd and Er) Doping and Electric Field on the Photoconductivity of p-GaSe Single Crystals. // Inorganic Materials, 2021, Vol. 57, No. 2, pp. 119-123.
  115. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Effect of Electric Field on Photoconductivity of р-GaSe Single Crystals. //Russian Physics Journal. 2021. Vol. 64, № 2. p. 276-281.
  116. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Elements of optoelectronics based on p-GaSe<Er> crystals. // International Journal on “Technical and Physical Problems of Engineering” (IJTPE). 2021. Issue 47. Vol. 13. Number 2. p. 82-86.
  117. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Photoconductivity in polyethylene-semiconductor (p-GaSe) composite. // Molecular Crystals and Liquid Crystals. Vol. 717, Issue I. p. 40-46.
  118. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Electric-Field-Induced Impurity Effects in p-GaSe Single Crystals. // Inorganic Materials, 2021, Vol. 57, No. 11, pp. 1119–112.
  119. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Photo-e.m.f. at a metal/layered n-InSe semiconductor contact under heating conditions of current carriers by an electric field. // Journal of Physics: Conference Series. 2103 (2021) 012
  120. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. On the Photoconductivity of p-GaSe⟨REE⟩ Layered Semiconductors and a Multiband Photoreceiver of Light on Their Basis. // Semiconductors, 2022. Vol. 56. Issue 2. P. 39-42.
  121. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Extrinsic Photoelectric Effects in Holmium- and Erbium-Doped n-InSe Crystals under Combined Excitation. // Inorganic Materials, 2022, Vol. 58, No. 7, pp. 696–700.

II.       Beynəlxalq nüfuzlu elmi jurnallarda nəşr olunan məqalələr, o cümlədən AAK - tövsiyə edilən dövri elmi nəşrlər:

  1. Бахышов А.Э., Алиев Г.М., Абдинов А.Ш. Взаимодействие примесей таллия с кислородом в селене. // ЖФХ, 1968, Т.ХLII, №7, с. 1680-1686.
  2. Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г., Абдинов А.Ш. Особенности изменения подвижности неосновных носителей тока в германии в сильных электрических полях. // ФТП, 1971, Т.5, №8, с.1563-1568.
  3. Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г., Крамер Н.И., Абдинов А.Ш. Исследование разогрева неосновных носителей тока в германии в условиях сильного электрон-дырочного взаимодействия. // ФТП, 1971, Т.5, №10, с.1969-1974.
  4. Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г., Крамер Н.И., Абдинов А.Ш. Термофотоэлектрический эффект при разогреве носителей тока в германии. // ФТП, 1972, Т.6, №2, с.353-359.
  5. Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г., Абдинов А.Ш. Влияние основных носителей тока на подвижность неосновных в германии в импульсных электрических полях. // ФТП, 1972, Т.6, №3, с.477-481.
  6. Вейнгер А.И., Парицкий Л.Г., Абдинов А.Ш. Изменение подвижности неосновных дырок в германии в сильных СВЧ электрических полях при сильном электрон-дырочном взаимодействии. // ФТП, 1972, Т.6, №3, с.577-578.
  7. Вейнгер А.И., Крамер Н.И., Парицкий Л.Г., Абдинов А.Ш. Вознокновение термоэдс в однородном полупроводнике (явление Бенедикса) при разогреве носителей тока СВЧ полем в германии. // ФТП, 1972, Т.6, №5, с.915-920.
  8. Вейнгер А.И., Крамер Н.И., Дадамирзаев Г., Абдинов А.Ш. Эффект Бенедикса при разогреве неравновесных носителей СВЧ полем в германии. // ФТП, 1972, Т.6, №7, с.1354-1358.
  9. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Об эффекте переключения в p-GaSe. // ФТП, 1973, Т.7, №9, с.1830-1833.
  10. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Изменение электропроводности GaSe в сильных СВЧ электрических полях. // ФТП, 1973, Т.7, №10, с.2030-2031.
  11. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Горячие носители, создаваемые сильным СВЧ электрическим полем в элек­тронном селениде индия. // ФТП, 1974, Т.8, № 1, с.192-195.
  12. Ахундов Г.А., Хамутова М.Д., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Термоэдс, обусловленная разогревом носителей тока СВЧ полем в GaSe р-типа. // ФТП, 1974, Т.8, №5 , с.869-873.
  13. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Эффект переключения в InSe. // ФТП, 1974, Т.8, №11, с.2283.
  14. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Термоэдс, обусловленная разогревом носителей тока СВЧ электрическим по­лем в полупроводниковом соединении InSe. // ФТП, 1974, Т.8, №12, с.2311-2315.
  15. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Об одном возможном механизме эффекта переключения в слоистых полупро­водниковых соединениях А3В6. // Микроэлектроника, 1975, Т.4, №5, с.465-467.
  16. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Электролюминесценция монокристаллов селенида индия. // Оптика и спектроскопия, 1975, Т.38, №5, с.952-955.
  17. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М. Электролюминесцентный переключатель из слоистого полупроводника GaS. // ФТП, 1975, Т.9, №5, с.980-982.
  18. Алиев М.Г., Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Кязым-заде А.Г. Инжекция электронов и электронные уровни захвата в высокоомных монокри­сталлах сульфита галлия. // ФТП, 1975, Т.9, №7, с.1429-1431.
  19. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Исследование горячих носителей тока, создаваемых сильным СВЧ электриче­ским полем в монокристаллах n-InSe. // ФТП, 1975, Т.9, №8, с.1561-1564.
  20. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Явления фото- и электрической памяти в высокоомных монокристаллах n-InSe. // ФТП, 1975, Т.9, №9, с.1690-1693.
  21. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Аномальная фотопроводимость в монокристаллах электронного селенида индия. // ФТП, 1975, Т.9, №10, с.1970-1975.
  22. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Эффект фотоэлектрической памяти в p-GaSe. // ФТП, 1975, Т.9, №11, с.2135-2138.
  23. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Отрицательная остаточная фотопроводимость в монокристаллах селенида индия. // ФТП, 1975, Т.9, №12, с.2382-2384
  24. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мехтиев Н.М., Хомутова М.Д., Шарипов А.Г. Исследование вольт-амперной характеристики слоистого полупроводника n-InSe. // ФТП, 1976, Т.10, №1, с.76-80.
  25. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Отрицательная фотопроводимость и гашение фототока в InSe при примесном возбуждении. // ФТП, 1976, Т.10, №1, с.81-84.
  26. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Влияние электрического поля на аномальную фотопроводимость в монокри­сталлах n-InSe. // ФТП, 1976, Т.10, №5, с.980-981.
  27. Абдинов А.Ш., Джафаров К.А., Тагиров В.И. Термоэдс горячих носителей тока в термообработанных монокристаллах спла­вов германий-кремний. // ФТП, 1976, Т.10, №7, с.1369-1373.
  28. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Генерация электрических импульсов монокристаллами селенида индия. // ФТП, 1976, Т.10, №10, с.1973-1975.
  29. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Проводимость, стимулированная электрическим полем, в высокоомных моно­кристаллах p-GaSe. // ФТП, 1976, Т.10, №13, с.2299-2303.
  30. Абдинов А.Ш., Джафаров К.А., Тагиров В.И. Разогрев носителей тока сильным СВЧ электрическим полем в термообрабо­танных монокристаллах Ge1-xSix. // ФТП, 1977, Т.11, №1, с.65-68.
  31. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. К вопросу аномальной фотопроводимости в монокристаллах селенида индия. // ФТП, 1977, Т.11, №2, с.393-396.
  32. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Осцилляции тока, индуцированные примесным ИК светом в монокристаллах селенида индия. // ФТП, 1977, Т.11, №5, с.899-903.
  33. Абдинов А.Ш., Халилова Э.И., Тагиров В.И. Разогрев носителя тока СВЧ электрическим полем в монокристаллах германий-кремний р-типа. // ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1004.
  34. Абдинов А.Ш., Халилова Э.И., Тагиров В.И. Горячие электроны, создаваемые сильным СВЧ электрическим полем в Ge1-xSix n-типа. // ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1005.
  35. Абдинов А.Ш., Халилова Э.И., Тагиров В.И. Термоэдс, обусловленная разогревом носителей тока СВЧ электрическим по­лем в монокристаллах Ge1-xSix. // ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1006.
  36. Абдинов А.Ш., Халилова Э.И., Тагиров В.И. Термофотоэдс, обусловленная разогревом носителей тока в монокристаллах Ge1-xSix. // ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1006.
  37. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. О низкочастотной осцилляции тока в монокристаллах селенида индия. // ФТП, 1977, Т.11, №10, с.2026-2029.
  38. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Отрицательная фотопроводимость, индуцированная электрическим полем в монокристаллах селенида галлия. // ФТП, 1978, Т.12, №6, с.1074-1079.
  39. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г. Об электролюминесценции монокристаллов GaS. // ФТП, 1978, Т.12, №6, с.1237.
  40. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Инфракрасное гашение остаточной фотопроводимости в монокристаллах селенида галлия. // ФТП, 1978, Т.12, №6, с.1237.
  41. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Ахмедов А.А. Отрицательная остаточная фотопроводимость (ООП) в монокристаллах p-GaSe. // ФТП, 1978, Т.12, №9, с.1759-1766.
  42. Абдинов А.Ш., Ахмедов А.А., Мамедов В.К., Салаев Эль.Ю. Примесная фотопроводимость в GaSe, индуцированная собственной подсветкой. // ФТП, 1980, Т.14, №1, с.164-168.
  43. Абдинов А.Ш., Акперов Я.Г., Мамедов В.К., Салаев Эль.Ю. Фототриггерный эффект в монокристаллах селенидов индия и галлия. // ФТП, 1980, Т.14, №4, с.749-753.
  44. Абдинов А.Ш., Мамедов В.К., Салаев Эль.Ю. Температурно-электрическая неустойчивость и низкочастотные колебания тока в монокристаллах селенида галлия. // ФТП, 1980, Т.14, №4, с.754-759.
  45. Абдинов А.Ш., Мамедов В.К. Фотопроводимость монокристаллов n-CuInSe2. // ФТП, 1980, Т.14, №5, с.892-896.
  46. Абдинов А.Ш., Акперов Я.Г., Мамедов В.К., Салаев Эль.Ю. Долговременно-релаксирующая проводимость, возбужденная электрическим полем, в монокристаллах селенидов галлия и индия. // ФТП, 1981, Т.15, №1, с.113-119.
  47. Абдинов А.Ш., Мамедов В.К., Нуруллаев Ю.Г. Разогрев носителей тока в монокристаллах CuInSe2 электрическим полем СВЧ. // ФТП, 1981, Т.15, №2, с.258-262.
  48. Абдинов А.Ш., Салаев Эль.Ю. Индуцированный инжекцией примесный пробой в монокристаллах селенида галлия и обусловленные с ним низкочастотные осцилляции тока. // ФТП, 1981, Т.15, №3, с.453-458.
  49. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мамедов В.К., Тагиров В.И. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-GaSe/n-CuInSe2. // ФТП, 1981, Т.15, №3, с.605-607.
  50. Салаев Э.Ю., Абдинов Д.Ш., Исмаилов Ф.И., Исмаилов И.К., Абдинов А.Ш., Новрузова Ф.М. Зависимость электропроводности монокристаллов твердых растворов p-CdxHg1-xTe от напряженности сильного электрического поля СВЧ. // ФТП, 1981, Т.15, №5, с.897-901.
  51. Абдинов А.Ш., Ахмедов А.А., Гасанов Я.Г., Магомедов А.З. Индуцированная собственной подсветкой примесная фотопроводимость в мо­нокристаллах селенида индия со свойством остаточной фотопроводимости. // ФТП, 1981, Т.15, №7, с.1255-1258.
  52. Абдинов А.Ш., Аббасов Ш.М., Абиев А.К., Бакиров М.Я., Гасумов Г.М., Мамедов В.К. Влияние электронного облучения на разогрев носителей тока электрическим полем в монокристаллах Ge1-xSix. // ФТП, 1981, Т.15, №10, с.1989-1993.
  53. Абдинов А.Ш., Гасанова Л.Г., Мамедов В.К. Край полосы поглощения монокристаллов CuInSe2. // ФТП, 1981, Т.15, №11, с.2245-2247.
  54. Абдинов А.Ш., Кязым-заде А.Г., Мамедов В.К., Тагиров В.И. Электрические и фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSe/n-CuInSe2. // ФТП, 1982, Т.16, №2, с.353-355.
  55. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г. Электроиндуцированная примесная фотопроводимость в монокристаллах InSe со стимулированной электрическим полем отрицательной фотопроводимостью и остаточной проводимостью. // ФТП, 1982, Т.16, №5, с.769-772.
  56. Абдинов А.Ш., Агаев Р.Р., Салаев Э.Ю., Сеидли Г.С. Влияние поперечного магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов твердых растворов p-CdxHg1-xTe. // ФТП, 1982, Т.16, №5, с.880-882.
  57. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г., Магомедов А.З., Салаев Эль.Ю. Индуцированная электрическим полем примесная фотопроводимость в моно­кристаллах селенида галлия. // ФТП, 1982, Т.16, №6, с.953-958.
  58. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г., Мамедов Ф.И. ВАХ высокоомных монокристаллов слоистых соединений А3В6. // ФТП, 1982, Т.16, №6, с.993-998.
  59. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г. Остаточное оптическое гашение собственной фотопроводимости в монокри­сталлах селенида индия. // ФТП, 1982, Т.16, №8, с.1523.
  60. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г. Длинновременно-релаксирующая отрицательная фотопроводимость в монокристаллах селенида индия. // ФТП, 1982, Т.16, №8, с.1525.
  61. Абдинов А.Ш., Аббасов Ш.М., Абиев А.К., Бакиров М.Я., Нуруллаев Ю.Г. Термоэлектродвижущая сила носителей горячего заряда, создаваемая сильным электрическим полем СВЧ в монокристаллах Ge1-xSix, облученных быстрыми электронами. // ФТП, 1982, Т.16, №10. С. 1828-1830.
  62. Абдинов А.Ш., Гасанов Я.Г., Аббасова П.Г. Эффект фотоэлектрической утомляемости в монокристаллах селенида индия. // ФТП, 1983, Т.17, №4, с.761-766.
  63. Абдинов А.Ш., Агаев Р.Р., Кязым-заде А.Г., Салаев Э.Ю., Сеидли Г.С. О влиянии флуктуации состава на фотоэлектрические свойства монокристал­лов твердого раствора CdxHg1-xTe. // ФТП, 1984, Т.18, №6, с.1085-1086.
  64. Абдинов А.Ш., Мамедов Ф.И., Салаев Эль.Ю., Сеидли Г.С., Эфендиев К.И. Электрофизические свойства облученных монокристаллов n-CdxHg1-xTe в сильных электрических полях. // Неорганические материалы. 1985, Т. 21. № 10, с.1677-1679.
  65. Абдинов А.Ш., Искендерзаде З.А., Садыхов О.М., Ахмедов А.А. Влияние легирования на оптическое гашение инжекционного тока в монокри­сталлах селенида индия. // ФТП, 1986, Т.20, №7, с.1347.
  66. Абдинов А.Ш., Мамедов Ф.И., Сеидли Г.С. Электрофизические характеристики облученных γ-квантами монокристаллов CdxHg1-xTe при 0.24<х<0.40. // Неорганические материалы. 1991, Т. 27. № 4, с.696-698.
  67. Джафарова С.З., Рагимова Н.А., Абуталыбов Г.И., Абдинов А.Ш., Гусейнов А.М. Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe. // ФТП. 1991. Т.25. №6. с. 983-989.
  68. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Переходная релаксация темнового тока в чистых и легированных кристаллах селенида индия. // Ж. «Неорганические материалы». 1994. Т.30. №3. С. 339-341.
  69. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Примесный фотоэффект в частично-неупорядоченных кристаллах InSe, легированного Dy. // Ж. «Неорганические материалы». 1994. Т.30. №7. С. 883-886.
  70. Абдинов А.Ш., Алиев В.К., Егорова Л.Н., Нуруллаев Ю.Г., Бабаева Р.Ф. Низкочастотные колебания тока в монокристаллах CdxHg1-xTe с х>0.65. // Доклады АН Азербайджана. Т. XLVIII-L. № 1-12. 1993/94. С. 33-37.
  71. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Накопление памяти слабых световых сигналов и спектральная память в монокристаллах InSe<Dy>. // Ж. «Неорганические материалы». Т.31. №7. С. 896-898.
  72. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Долговременная изотермическая релаксация темнового электросопротивления монокристаллов селенида индия, легированного диспрозием. // Ж. «Неорганические материалы». Т.31. №8. С. 1020-1022.
  73. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Нуруллаев Ю.Г. Об осцилляции проводимости в монокристаллах InSe<Dy>. // Ж. «Неорганические материалы». Т.32. №12. С. 1446-1448.
  74. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Нуруллаев Ю.Г., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М. Собственные дефекты и примеси диспрозия в монокристаллах GaSe. // Ж. «Неорганические материалы». Т. 34. № 3. С. 271-273.
  75. Абдинов А.Ш., Алиев В.К., Егорова Л.Н., Садыхов Т.И., Бабаева Р.Ф. Фотолюминесценция монокристаллов InSe:Dy. // Доклады АН Азербайджана. Т.LIV. № 3-4. 1998. С. 51-53.
  76. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Рагимова Н.А. Влияние легирования диспрозием на фотоэлектрические свойства монокристаллов селенида галлия. // Ж. «Неорганические материалы». Т. 35. № 4. С. 410-412.
  77. Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мамедов Г.М., Бабаева Р.Ф. Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe в ИК-области. // Ж. «Прикладная физика». 2000. № С. 56-62.
  78. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Эйвазова Г.Х. К вопросу о фотопроводимости, перспективных для солнечной энергетики монокристаллов InSe:Dy. // Ж. «Проблемы энергетики». 2001. № 1. С.66-72.
  79. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Мехтиев Н.М., Рзаев Р.М., Исмаилов Р.М. Фотолюминесценция легированных диспрозием монокристаллов селенида индия и галлия. // Известия АН Азербайджана. Т. XXIII. № 5(I). c. 143-147.
  80. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Исмаилов Р.М. К вопросу о возможности повышения воспроизводимости параметров и характеристик солнечных преобразователей на основе слоистых кристаллов соединений А3В6. // Ж. «Проблемы энергетики». № 3. С. 83-87.
  81. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Гасанов Г.А. Фотолюминесценция монокристаллов InSe и GaSe, легированных редкоземельными элементами. // Ж. «Неорганические материалы». 2004. Т.40. №6. С. 660-662.
  82. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Эйвазова Г.Х. Электрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSe<РЗЭ>/n-CuInSe2. // Ж. «Проблемы энергетики». 2004. №2. С. 37-44.
  83. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Эйвазова Г.Х. Особенности вольт-амперной характеристики в легированных редкоземельными элементами монокристаллах селенида индия. // Известия АН Азербайджана. T. XXIV. № 5. C. 75-80.
  84. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. К вопросу о механизме влияния легирования редкоземельными элементами на фотолюминесценцию монокристаллов соединений А3В6 со слоистой структурой. // Ж. «Прикладная физика». № 5. с. 74-78.
  85. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рагимова Н.А., Эйвазова Г.Х., Рзаев Р.М. Сенсибилизация ИК-фоточувствительности в слоистых кристаллах типа соединений селенида индия электрическим полем. // Ж. «Прикладная физика». № 5. с. 81-85.
  86. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Багирова А.Т., Рзаев Р.М., Эйвазова Г.Х. Особенности электрических неустойчивостей в монокристаллах селенида индия, легированных редкоземельными элементами. // Известия АН Азербайджана. T. XXV. № 5. C. 73-77.
  87. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Эйвазова Г.Х. Влияние легирования редкоземельными элементами на исходную и сенсибилизированную ИК-фоточувствительность слоистых кристаллов селенида индия. // Ж. «Прикладная физика». 2006. № 2. с. 62-66.
  88. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Bagirova A.T., Rzaev R.M. Electroluminescence of layered monocrystals of А3В6<RE>. // Fizika, 2006, Т.XII, № 3, с. 8-10.
  89. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Багирова А.Т., Рзаев Р.М. Влияние легирования редкоземельными элементами на некоторые электрические свойства монокристаллов // Ж. «Неорганические материалы». 2006. Т. 42. №9. С. 1035-1039.
  90. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Багирова А.Т., Рзаев Р.М., Аллахвердиев Ш.А. Фотопроводимость эффективного материала для солнечной энергетики и оптоэлектроники p-GaSe, легированного редкоземельными элементами. // Проблемы энергетики, 2006. №3-4, с. 72-76.
  91. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Багирова А.Т., Аллахвердиев Ш.А. Электрические неустойчивости в легированных редкоземельными элементами монокристаллах селенида галлия. // Известия НАНА. 2006. V. XXVI. №5. С. 70-74.
  92. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Аллахвердиев Ш.А. Сенсибилизированные примесные фотопроводимости в монокристаллах p-GaSe, легированных редкоземельными элементами. // Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук, 2006, № 3, с. 156-161.
  93. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Багирова А.Т., Аллахвердиев Ш.А. Особенности статических ВАХ легированных редкоземельными элементами монокристаллов селенида галлия. // Докл. АНАН. 2006. Т. №5-6. с.55-62.
  94. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Исмаилов Р.М., Эйвазова Г.Х. Фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSe<РЗЭ>/n-CuInSe2 в видимой и ближней ИК-области. // Прикладная физика, 2007, № 1, с. 107-110.
  95. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Багирова А.Т., Рзаев Р.М., Аллахвердиев Ш.А. Электрические и емкостные характеристики солнечных фотопреобразователей на основе анизотипных гетероструктур p-GaSe<РЗЭ>/n-InSe<РЗЭ>. // Проблемы энергетики, 2007, №1, с. 59-63.
  96. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Багирова А.Т., Рзаев Р.М. Электрические и люминесцентные неустойчивости в легированных редкоземельными элементами кристаллах моноселенидов А3В6 со слоистой структурой. // Fizika, 2007, Т.XIII, № 4, с. 136-138.
  97. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Аллахвердиев Ш.А. К вопросу об эффекте оптической утомляемости в легированных лантаноидами кристаллах p-GaSe. // Fizika, 2008, Т.XIV, № 3, с. 68-69.
  98. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Аллахвердиев Ш.А., Рзаев Р.М. Влияние легирования редкоземельными элементами на эффекты стационаризации темнового тока и электрической утомляемости в кристаллах p-GaSe. // Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. наук, 2008, Т.XXVIII, №5, с.125-129.
  99. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Аллахвердиев Ш.А., Рзаев Р.М. Проводимость высокоомных чистых и легированных РЗЭ кристаллов GaSe. // Неорганические материалы. 2009. Т.45. №7. С.785-789.
  100. Abdinov Ə.Ş., Babayeva R.F. Laylı AIIIBVI monoselenidlərində və onların əsasındakı heterostrukturlarda çeviricilik effekti. // Bakı Universitetinin xəbərləri, 2009, №3. s.139-147.
  101. Abdinov Ə.Ş., Babayeva R.F. Lantanoidlərlə aşqarlanmış AIIIBVI birləşmələri tipli laylı quruluşlu qismən nizamsız kristallarda elektrolüminessensiyanın xüsusiyyətləri. // Bakı Universitetinin xəbərləri. 2010. № 1, s. 121-130
  102. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Long-term relaxation effects in gallium monoselenide doped by holmium and gadolinium. // Azerbaijan Journal of Physics. Volume XVI, Number 2, Series: En, June, 2010, p. 289-291.
  103. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzayev R.M. Effect of the light on charge carriers mobility in gallium monoselenide crystals. // Azerbaijan Journal of Physics, 2011, Vol. XVII, №2. s.51-56.
  104. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М. К вопросу о фотопроводимости крис-таллов моноселенида индия. // Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук, 2011, №2, s.89-98.
  105. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М. Особенности индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах моноселенида индия. // Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и техн. наук, физика и астрономия, Баку, 2011, Т. XXXI, № С. 59-66.
  106. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М. К вопросу о механизме индуцированной примесной фотопроводимости в моноселенидах АIIIBVI со слоистой структурой. // Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук, 2011, №3, s.78-88.
  107. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Амирова С.И. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в чистых и легированных гадолинием кристаллах p-GaSe. // Неорганические материалы. 2012, т. 48, № 6, с. 649-653.
  108. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М. К вопросу о зависимости подвижности носителей тока от электрического поля в кристаллах моноселенида галлия. // ФТП, 2012, Т.46. № 6, с. 751-755.
  109. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М. Влияние электрического поля на кине­тику фотопроводимости монокристаллов n-InSe. // Неорганические материалы. 2012, T. 48, № 8, с. 892–896.
  110. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Gasanov Ya.G., Amirova S.I., Ragimova N.A., Rzayev R.M. Anomalies of the induced impurity photoconductivity in gallium monoselenide crystals. // Azerbaijan journal of Physics, 2012, V.XVIII, № 1 (En), p.25-30.
  111. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Амирова С.И., Рзаев Р.М. Влияние температуры и легирования редкоземельными элементами на подвижность носителей тока в кристаллах моноселенида индия. // Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, вып. 8. с. 1009-1013.
  112. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Гасанов Я.Г., Рагимова Н.А., Рзаев Р.М. Влияние электрического поля на электропроводность чистых и легированных атомами диспрозия кристаллов моноселенида индия. // Неорганические материалы, 2013, том 49, № 12, с. 1277–1284.
  113. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Ragimova N.A., Rzayev R.M., Amirova S.I. Influence of temperature and doping with rare-earth elements on electrophysical parameters of АIIIBVI crystals with layered structure. // Azerbaijan Journal of Physics, 2013, v. XIX, №1 (En), p. 17-22.
  114. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Рагимова Н.А., Амирова С.И. К вопросу об особенностях собственной фотопроводимости кристаллов моноселе­нида галлия. // Journal of Qafqaz University – physics. V.1. p.16-27.
  115. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рагимова Н.А., Рзаев Р.М., Амирова С.И. Влияние температуры и легирования редкоземельными элементами на электро-физические параметры кристаллов моноселенида галлия. // Неорганические материалы. 2014, 50, №4, с. 362-367
  116. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Амирова С.И., Рагимова Н.А., Рзаев Р.М. Влияние света на подвижность свободных носителей заряда в кристаллах моноселенида индия. // Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. C. 1009-1013.
  117. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Мехтиев Н.М., Рзаев Р.М. Многофункциональные фотоприемники на основе кристаллов InSe. // Прикладная физика, 2014, № 6. 76-80.
  118. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Amirova S.I., Ragimova N.A. The IR quenching of negative and intrinsic photoconductivity in p-GaSe crystals. // Journal of Qafqaz University. Physics. 2014. Vol.2. number 2. P.130-135.
  119. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рагимова Н.А., Рзаев Р.М., Амирова С.И. О специфическом влиянии температуры и легирования на электрофизические параметры монокристаллов селенида индия. // Journal of Qafqaz University. Physics. 2015. Vol.3. number 1. P.41-48.
  120. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Расулов Э.А. Специфические особенности собственной фотопроводимости кристаллов моноселенида индия. // Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук. 2015, №1, с. 129-136.
  121. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Амирова С.И., Рагимова Н.А. Приемники ИК-излучения на основе моноселенида галлия. // Прикладная физика, 2015, № 5. C. 67-71.
  122. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rzayev R.M., Amirova S.I. On the effect of electric field on photoconductivity in InSe single crystals. // International Journal of advanced research. 2015. 3. ISSUE 10. ISSN No 2320-5407. P. 593-598.
  123. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рзаев Р.М., Рагимова Н.А., Амирова С.И. К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов n-InSe. // Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 1. С. 35-38.
  124. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Amirova S.I., Mehtiyev N.M., Sadig H.O. Properties of the relaxation processes in photoresistors based on ZnIn2Se4 type anisotropic crystals. // Journal of Qafqaz University – Physics. Vol. 4, N. 1. P. 3-8.
  125. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Ragimova N.A., Rasulov E.A. Heterostructures with controlled characteristics based on layered monoselenides of АIIIВVI // Journal of Qafqaz University – Physics. 2016. Vol. 4, N. 1. P. 27-33.
  126. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Мехтиев Н.М. О некоторых аномалиях электронных свойств монокристаллов n-InSe. // Вестник Бакинского Университета, Серия физико-математических наук, №1, 2016, с. 127-131.
  127. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Ragimova N.A., Rasulov E.A., Amirova S.I. Effect of Various External and Internal Factors on the Carrier Mobility in n-InSe. // International Journal of Engineering and Science. 2016. Vol. 6. Issue 11. P. 01-04.
  128. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Rasulov E.A. On the charge transfer in layered semiconductor indium selenide. // Azerbaijan Journal of Physics. Vol. XXII, № 3. 2016. P. 16-19.
  129. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рагимова Н.А., Расулов Э.А. Фотоприемники для ультрафиолетового и видимого диапазонов на основе кристаллов моноселенида галлия. // Прикладная физика, 2016, № 6, c.72-76.
  130. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Светопереключатели с управляемыми парамет­рами на основе монокристаллов n-InSe. // Вестник Бакинского Университета, Серия физико-математических наук, №1, 2017, с. 147-154.
  131. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Амирова С.И., Рагимова Н.А., Расулов Э.А. Об особенностях спектра собственной фотопроводимости в кристаллах моноселенида индия. // Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и техн. наук, физика и астрономия, Баку, T. XXXVII. №2. с. 43-48.
  132. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Photoconductivity of indium monoselenide crystals ion strong electric fields. // AJP Fizika (En). 2017. XXIII. №3. P.27-30.
  133. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F. Basic parameters and characteristics of anisotype p-GaSe<Ho>/n-InSe<Ho> heterostructures. // Journal of Baku Engineering University. Physics. 2017. Vol. 1. Number 2. P-134-140.
  134. Abdinov Ə.Ş., Babayeva R.F. Qadoliniumla aşqarlanmiş indium monoselenidi kristallarinda injeksiya cərəyanları. // AJP Fizika 2017 vol. XXIII №4, sec­tion: Az. s. 7-12.
  135. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Рагимова Н.А., Расулов Э.А., Амирова С.И. Перспективные для опто- и фотоэлектроники гетероструктуры p-GaSe<Er>/n-InSe<Er>. // Известия НАНА. серия физ.-тех. и математических наук. Физика и астрономия. 2018. Т. XXXVIII. №2. с. 23-29.
  136. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. К вопросу об аномалиях электрофизических па­раметров в слоистых моноселенидах полупроводниковых соединений AIIIBVI. // Azerbaijan Journal of Physics (AJP). Fizika (Az.). 2018. vol. XXIV. №3. P.3-4.
  137. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Особенности подвижности электронов в слои­стом полупроводнике n-InSe. // Физика и техника полупроводников. 2018, T.52. вып. 13. с. 1563-1569.
  138. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Особенности кинетических коэффициентов мо­нокристаллов слоистого полупроводника p-GaSe. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61. № 9 (729). С. 102-107.
  139. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Электролюминесценция монокристаллов p-GaSe⟨РЗЭ⟩. // Неорганические материалы, 2019, т. 55, № 4, с. 355–360.
  140. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Амирова С.И., Рагимова Н.А., Расулов Э.А. О фотопроводимости монокристаллов n- // Известия НАНА. серия физ.-тех. и математических наук. Физика и астрономия. 2019. T. XXXIX. № 2. c. 39-44.
  141. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Температурная зависимость фотопроводимости монокристаллов n-InSe. // Неорганические материалы, 2019, т. 55, № 8, с. 806-812.
  142. Abdinov Ə.Ş., Babayeva R.F., Əmirova S.İ., Rəhimova N.Ə., Rəsulov E.A. n-InSe kristallarında elektrolüminessensiyanın parlaqlıq xarakteristikalarına lantanid aşqarlarının təsiri. // AJP Fizika 2019. Vol. XXV. № 1. Section: Az. Səh. 7-10.
  143. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф., Амирова С.И., Рагимова Н.А., Расулов Э.А. Особенности электрофизических параметров и влияние легирования тяжелыми лантанидами на них в слоистых полупроводниках АIIIВVI. // Вестник Бакинского Университета, Серия физико-математических наук, 2019, N 4, c. 134-143.
  144. Abdinov Ə.Ş., Babayeva R.F., Əmirova S.İ., Rəhimova N.Ə., Rəsulov E.A. Aşqarlanmış n-InSe kristalları əsasında infraqırmızı fotoqəbuledicilər. // Bakı Universitetinin Xəbərləri, fizika-riyaziyyat elmləri seriyası, 2020, № 2, səh. 57-64.
  145. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Влияние легирования Gd и Er и электрического поля на фотопроводимость монокристаллов р-GaSe. // Неорганические материалы, 2021, т. 57, № 2, с. 125–129.
  146. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Влияние электрического поля на фото-проводимость в монокристаллах р-GaSe. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64. №2 (758) с.76-81.
  147. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Индуцированные электрическим полем примесныe явления в монокристаллах р-GaSe. // Неорганические материалы, 2021, том 57, № 11, с. 1185–1189.
  148. Abdinov A.Sh., Babayeva R.F., Ragimova N.A., Amirova S.I, .Rasulov E.A. The possibility of increasing the reproductivity and stability of the characteristics of n-InSe/p-GaSe heterostructures. // UNEC Journal of Engineering and Applied Sciences Vol. 1, No. 1, 2021, pp. 22-26.
  149. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Фотопроводимость монокристаллов слоис-того полупроводника p-GaSe, легированного редкоземельными элементами, и много-диапазонный фотоприемник света на их основе. // Физика и техника полупроводников, 2022, т. 56, вып. 5. C. 458-462.
  150. Абдинов А.Ш., Бабаева Р.Ф. Обусловленные комбинированным возбуж-дением примесные фотоэлектрические явления в кристаллах n-InSe, легированных гольмием и эрбием. // Неорганические материалы, 2022, том 58, № 7, с. 722–726.

ELMİ ƏSƏRLƏRİNƏ OLUNMUŞ İSTİNADLAR

Ümumi – 572; H-indeksli – 10, İ 10 indeksli - 11

İXTİRALAR

  1. “Фотоэлектрический приемник света”, Müəlliflik Şəhadətnaməsi №455679, Moskva, (1972)
  2. “Люминесцентный материал на ос­нове селенида индия”. Müəlliflik Şəhadətnaməsi №475036,Moskva, (1989)

PROQRAM VƏ TƏDRİS-METODİKİ VƏSAİTLƏR

  1. “Fiziki elektronika” istiqaməti üzrə bakalavr pilləsi üçün fənn proqramları toplusu, 2007, Bakı, “Təhsil”, 34 proqram - 62 səh.
  2. “Fiziki elektronika” istiqaməti üzrə magistr pilləsi üçün fənn proqramları toplusu, 2007, Bakı, “Təhsil”, 25 proqram - 45 səh.
  3. «Fizika Praktikumu» üzrə laboratoriya işlərinə dair qaydalar”. Bakı, “Bakı Universiteti nəşriyatı” 2015, - 15 səh.
  4. “Fizika müəllimliyi - 050104” ixtisası üçün əsas fənlərin proqramlarının toplusu. Bakı, “Bakı Universiteti nəşriyyatı” 2018, - 196 səh.

KİTABLAR

  1. “Bərk cisim elektronikası”, 2004, Bakı, “Təhsil” – ali məktəblər üçün dərs vəsaiti. -136 s
  2. “Optoelektronika”, 2005, Bakı, “Maarif” – ali məktəblər üçün dərslik – 410 s.
  3. “Fiziki elektronikanın tarixi və metodologiyası”, 2008, Bakı, “Təhsil”, – ali məktəblər üçün dərs vəsaiti. -164 s.
  4. Elektron texnikasının materialları və nanotexnologiyanın əsasları, 2010, Bakı, “Təhsil” - ali məktəblər üçün dərs vəsaiti, -184 s
  5. Elektron cihazları və emissiya elektronikasının əsasları, 2011, Bakı, “Təhsil”, - ali məktəblər üçün dərs vəsaiti -358 s
  6. Materialşünaslıq, 2018 Bakı, “Təhsil”, - ali məktəblər üçün dərslik-134s.

 

Saytın xəritəsi Abituriyentlər üçün Tələbələr üçün Məzunlar üçün Əməkdaşlar üçün
Əlaqə
Bakı Dövlət Universiteti, əsas bina 3-cü mərtəbə, 319-cu otaq, Bakı şəhəri, akademik Zahid Xəlilov küçəsi, 33, AZ 1148
Tel.: 994125390523 [email protected] Bütün hüquqlar qorunur. Bakı-2023
Rektora müraciət

Əziz tələbələr, Rektora sualınız, təklifiniz yaxud şikayətiniz varsa, müraciət edə bilərsiniz.

Rektora müraciət