SEÇİLMİŞ ELMİ ƏSƏRLƏRİ

Асланова А.Р. Температурные особенности параметров кремниевых поверхностнo барьерных диодов // Труды VII Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2005, с.79
Исмаилов Т.Г., Асланова А.Р. Зависимость коэффициента неидеалъности от высоты баръера диода Шоттки // Тезис докл. XIX Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения Москва, 2006, c.206-207
Асланова А.Р. Кажущий электрический пробой диодов шоттки // Труды VIII Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы»,Ульяновск, 2006,
Асланова А.Р. Температурной зависимости деградации вольтамперной характеристики диодов Шоттки // 9 Международная Научно-Техническая Конференция "Таганрог, "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, 2006, с.176
Исмаилов Т.Г., Асланова А.Р. Şottki diodunun potensial çəpərinin hündürlüyünün metalın təbiətindən asılılığı // IV Республиканской Научной Конфер."Актуальные проблемы физики", Баку,2006, s.132
Асланова А.Р., Гаджиев З.И Связь между температурными зависимостями высоты баръера и коэффициента неидеалъности диода Шоттки // АМЕА, Физика, 2007, т.ХIII, № 1- 2, cс.324-326
Асланова А.Р. Температурные зависимости действующей высоты барьера реального диода Шоттки // Труды IХ Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы»,Ульяновск, 2007, с.198
Исмаилов Т.Г., Асланова А.Р. Зависимости эмиссионных параметров диодов Шоттки от полярности напряжения // АМЕА, Физика, 2007, т.ХIII, № 4, сc.141-143
Исмаилов Т.Г., Асланова А.Р. Температурные особенности деградация вольтамперной характеристики диода Шоттки // Вестник Бакиского Университета, серия физ.мат.наук, 2007, №4.с.196-202
Исмаилов Т.Г., Асланова А.Р. Зависимость напряжения пробоя диода Шоттки от геометрического размера контакта // Тезис докл. XХ Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2008, c.196-197
Асланова А.Р. Расхождение токов насыщения реального диода Шоттки в прямом и обратном направлениях // Труды Х Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы»,Ульяновск, 2008
Исмаилов Т.Г., Асланова А.Р. Behaviour of temperature dependencies of barier height and factor non-idelity of schottky diode // Prosc. Secand International Confrens Physics Techn. Energy, Turkey,2008, pp.33-36
Асланова А.Р., Еганех М.А. Исследование эмиссионной неоднородности диодов Шоттки АСМ методом //Тезисы докл. XXII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2012, с.325-326
Исмаилов Т.Г., Асланова А.Р. Зависимости электрофизических параметров перехода металл - кремний от размеров контактной поверхности // Jurnal of Qafqaz University, Physics, 2014, v.2,n.2, pp.161-165
Ismailov T.H., Aslanova A.R. Influence of Peripheral Effects on the Electro Physical Properties of Schottky Diodes // International Journal of Innovative Technology and Exploring Engineering, 2015, v.5, n.2, pp.1-7
Ismailov T.H., Aslanova A.R. Electrophysical properties of Schottky diodes with inhomogeneous contact surface // J. Supperlattices and Microstructures, 2016, v.90, pp.68-76
Mamedov R.K., Aslanova A.R. Additional electric field in real trench MOS barrier Schottky diode // J. Supperlattices and Microstructures, 2016, v.92, pp.1-9
Məmmədov R.Q., Aslanova Ə.R. Kontakt səthinin məhdudluğu ilə yaranan əlavə elektrik sahəsinin Şottki diodunda cərəyan axinina təsiri, İV İnernational Scientific conference of young researchers, Baku, QU, 2016, p.65-66
Mamedov R.K., Aslanova A.R. Alternative current source based Schottky contact with additional electric field // J. Supperlattices and Microstructures, 2017, v.107, pp.28-37
Мамедов Р.К., Асланова А.Р., Электродвижущая сила контакта Шоттки с дополнительным электрическим полем, Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук, 2017, № 1, c.75-77
Mamedov R.K., Aslanova A.R. Features of current-voltage characteristic of nonequilibrium trench MOS barrier Schottky diode // J. Supperlattices and Microstructures, 2018, v.118, pp.298-307
Rasim Məmmədov Aslanova Əminə. İki potensial çəpərli Şottki diodlarının ideallıq faktoru. Bakı Universitetinin Xəbərləri, fiz.-riyaz. elmləri seriyası, 2022, №1 , s.34-50
Расим Мамедов Aмина Асланова. Двухмерная энергетическая структура реальных диодов шоттки с дополнительным электрическим полем. Вестник БГУ, Серия физико-математической, 2023, s.67-71