SEÇİLMİŞ ELMİ ƏSƏRLƏRİ

  1. Д.И.Исмаилов, М.Ф.Алиева, Э.Ш.Алекперов, Ф.И.Алиев. Электронографическое исследование многоструктурности аморфных пленок полиморфного TlInS ФТП, 2003, 37(7), С.772
  2. Д.И.Исмаилов, Э.Ш.Алекперов. Структура ближнего порядка в тонких аморфных пленках халькогенидных полупроводников TlGaSe2 и TlInS2. ANAS TRANSACTIONS, 2004, v.XХIV, 5, p.T22
  3. Э.Ш.Алекперов.Электронографические данные аморфных пленок TlIn1-xSnxS2 . НАНА «Физика», 2007, T.XIII, №1-2,С.315
  4. Э.Ш.Алекперов, I.С.Гараев, Д.И.Исмаилов. Кинетика кристаллизации нанотолщинных пленок TIGa1-xGexSe2. НАНА «Физика», 2007, T.XIII, №4, С.201
  5. Э.Ш.Алекперов, А.К.Шарифова, Д.И.Исмаилов. Кинетика кристаллизации нанотолщинных аморфных пленок TIGa1-xGexSe2. «Kristalloqrafiə» RAN, 2008, 39(6), S.417
  6. Э.Ш.Алекперов , Гараев Э.С., , Исмаилов Д.И. Исследование ближнего порядка нанотолщинных пленок TlGa 1-x Ge x Te XIV Международная научно-техническая Кон­фе­ренция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения ТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИИ 24-25 мая 2016, Москва, Россия
  7. Э.Ш.Алекперов , Шарифова А.К., Исмаилов Д.И. Исследование ближнего порядка нанотолщинных пленок TlGa 1-x Ge x Te 2. VII Национальная конфер. РСНI – НБИК 2009, Москва, ИК РАН, 16 – 21 ноября 2009, с.194
  8. Alekperov E.Ş. , K.Sharifova, D.I.Ismayılov. The Crystallization Kinetics of Nanothin Amorphous TlGa 1-x Ge x Se 2 Films Crystallography Reports, 2009, v.54, No.3, pp.513 –515 .
  9. Alekperov E.Ş. , Qarayev E.S., Ismailov D.I. The crystallization kinetics of nanothin TlGa 1-x Ga x Te 2 films. International Conference. «CRYSTAL MATERIALS 2010» Ukraine, Kharkov,May31 – Iune03, 2010y, P25, pp.145
  10. Qarayev E.S., Ismayılov C.I., Alekperov E.Ş. Кинетика фазовых переходов пленок TlGa 1-x Ge x Te 2 .Bakı Universitetinin Xəbərləri, №3, 2010, s.146-150. (s.117-121)
  11. Э.Ш.Алекперов . Применение метода дифракции электронов для исследования нанотолщинных пленок TlGa 1-x Ge x S 2 Azərbaycan MEA, “MƏRUZƏLƏR”, 2010, т.LXVI, № 3, s. 41-46
  12. Э.Ш.Алекперов . Исследования нанопленок TlGa 1-x Ge x X 2 (X – S, Se, Te) методом дифракции электронов. Неорганические материалы, 2012, т.48, №2, с. 167 -171
  13. Alekperov E.Ş. Elektron Diffraction Study of TlGa 1-x Ge x X 2 (X=S, Se,Te) Nanofilms Məqalə Inorganic Materials, 2012, 48, № 2, pp.123 – 127.
  14. Шарифова А.К., Э.Ш.Алекперов . Формирование сверхрешеток в ıпитаксиальных пленках TlGa 1-x Ge x Te 2 РАН Москва Поверхность, 2013, №7, с.92 -95.
  15. Sharifova A.K., Alekperov E.Ş. Superstructure Formation in Epitaxial TlGa 1-x Ge x Te 2 films. Journal of Surface X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2013,Vol.7, No.4, pp.687-690.
  16. Э.Ш.Алекперов . Образование сверхструктуры в тонких пленках TlGa 1-x Ge x Se 2 AMEA, Fizika, 2013, vol. XIX, №2, pp.76-79
  17. Шарифова А.К, Э.Ш.Алекперов . Формирование твердых растворов TlGa 1-x Ge x Te 2 при содействии Электрического поля. ХХV Российская конфер. по электрон. Микроскопии (РКIМ-2014) Московской обл., г.Черноголовка, 2-6 июня 2014 г., с. 170-171
  18. Садраддинов С.А., Гараев Э.С., Фарзалиев С.С , Э.Ш.Алекперов. Влияние Электрического поля на формирование ближнего порядка тонких пленок TlIn 1-x Sn x Te 2 . ХХIV Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. «НПО «Орион» Москва, 24-27 мая 2016 г. с. 516 – 519
  19. Садраддинов С.А., Гараев Э.С., Э.Ш.Алекперов. Ближний порядок тонких пленок TlIn 1-x Sn x Te 2. ХХVI Российская конфер.по электрон. Микроскопии (РКIМ-2016) г. Москва, Зеленоград, 30мая-3 июня 2016 г., с. 154-155
  20. Э.Ш.Алекперов . Ближний порядок тонких пленок TlIn 1-x Sn x Te 2. РАН Москва Поверхность, 2017, №9, с.67 -70.
  21. Э.Ш.Алекперов, Гараев Э.С., Садраддинов С.А., Фарзалиев С.С.Фазовый переход при термообработке аморфных пленок TlInS 2 легированных оловом. X Elmi-texniki Beynəlxalq Konfrans materialları, “Modern trends in physics” “Fizikaya müasir baxış” BDU, Bakı, 20-22 aprel 2017, s.99 (Proqram and Abstracts)
  22. Э.Ш.Алекперов. Фазовый переход при термообработке аморфных плёнок TlIn1-хSnxS2, полученных в Электрическом поле. Международной конференции «Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии» (БелСЗМ-2018), г. Минск, Белорусия с 16 - 19 октября 2018 г., с. 38-43
  23. Superstructure formation in TlIn1-xSnxS2 epitaxial films. 33(27) ISSN 2522-4352 Conference Proceedings Modern trends in physics. Baku, 2019, pp. 60-62
  24. Панахов М.М.,Гараев Э.С., Назаров А.М., Фарзалиев С.С. Phase transition at termal treatments of TlIn1-xSnxSe2 amorphous films. AMEA, AJP Fizika, XXVI, 2020, pp.28-31
  25. Vibrational properties of nanoparticles iron oxide by Raman spectroscopy. Modern Physics Letters B. Vol. 35, 2021, (2150125). World Scientific Publishing Company / DOI: 0.1142/SO217984921501256, https://scholar.google.com/citations?hl=ru&user=riqGUYoAAAAJ

DÖVLƏT VƏ BEYNƏLXALQ PROQRAM VƏ QRANTLAR

Qrant UETM (Ukraynanın elmi texnoloji mərkəz) Layihə-3819, “Ətraf mühitin monitorinqi üçün nanoquruluşlu məsaməli laylı kristallar əsasında yeni mikroelektron qaz sensorlarının tədqiqi və inkişafı”

Əlaqə
Bakı Dövlət Universiteti, əsas bina 3-cü mərtəbə, 319-cu otaq, Bakı şəhəri, akademik Zahid Xəlilov küçəsi, 33, AZ 1148
Tel.: 994125390523 [email protected] Bütün hüquqlar qorunur. Bakı-2023
Rektora müraciət

Əziz tələbələr, Rektora sualınız, təklifiniz yaxud şikayətiniz varsa, müraciət edə bilərsiniz.

Rektora müraciət