SEÇİLMİŞ ELMİ ƏSƏRLƏRİ

  1. V.M.Salmanov, A.G.Guseinov, A.A.Salmanova, Alim Dincher, R.M.Mamedov. High –energy radiation in the region of the continuus spectrum of nanoparticles gallium and indium selenide by laser radiation. Science and Education Studies, № 1 (17), January-June, 2016,volume II. “Stanford University Press” 2016.pp562-572
  2. А.Г. Кязым-заде, В.М. Салманов, А.Г.Гусейнов, Р.М. Мамедов, А.А. Салманова, Ф.Ш. Aхмедова. Особенности оптического поглощение и фотопроводимости моноселенида индия при лазерном возбуждении. Известия ВУЗов, Томск, Ноябрь-декабрь 2017
  3. А. Г. Гусейнов, В.М.Салманов, Р. М. Мамедов, А. А. Салманова, Ф. Ш. Ахмедова. Оптические свойства селенида галлия, легированного бором. Оптика и спектроскопия, 2017, том 123, № 6, с. 39–44
  4. В.М.Салманов , А.Г.Гусейнов, И.М.Алиев А.А.Салманова, Р.М.Мамедов Ф.Ш.Ахмедова. Особенности фотопроводимости GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения. Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasinin xəbərləri .Fizika-texnika və riyaziyyat elmləri seriyası, fizika və astronomiya 2017 №5, səh.31-35
  5. А.Г. Гусейнов, В.М. Салманов, Р.М. Мамедов, Р. Джабраилова, А.З. Магомедов. Новый метод получения п-р структуры на основе дефектного полупроводника . Известия ВУЗов, Томск, Ноябрь-декабрь 2017
  6. А.Г. Гусейнов, А.Г. Кязым-заде, В.М. Салманов, Р.М. Мамедов, А.А. Салманова, Л.Г. Гасанова, А.З. Магомедов. Особенности люминесценции и фотопроводимости слоистых кристаллов под действием лазерного излучения. Оптика и Спектроскопия, 2017, т.121, №6, с.966-969
  7. В.М. Салманов, А.Г. Гусейнов,Р.М. Мамедов ,Л.Г. Гасанова,Ф.М. Ахмедова. Влияние лазерного излучения на тонкие пленки InSe и GaSe выращенные лазерной возгонкой и химическим осаждением. Журнал физической химии выпуск 2018 №9,стр.1-9 (C)
  8. Салманов В.М., Гусейнов А.Г. , Р.М.Мамедов, А.А. Салманова, Ф.Ш.Ахмедова. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры  GaS/InSe. Optics and Spectroscopy, 2019, Vol. 126, No. 5, pp. 540–545.
  9. А.Г. Кязымзаде, Салманов В.М. Гусейнов А.Г., Р.М.Мамедов, А.А. Салманова, З.А.Агамалиев, Ф.Ш.Ахмедова. Инверсия типа проводимости тонких пленок п-InSe под действием лазерного излучения. ЖТФ, т. 89, вып.4, с.599-602. 2019
  10. Гусейнов А.Г., А.Г. Кязымзаде, Р.М.Мамедов, А.А. Салманова, Салманов В.М. Особенности люминесценции и фотопроводимости AgIn5S8 под действием лазерного излучения. Известия ВУЗ-ов, т.61, №11, с. 99-103
  11. Салманов В.М., Гусейнов А.Г., Р.М.Мамедов, А.А. Салманова. Преобразователи солнечной энергии на основе наноструктур InSe. 1st international conference on energy of future:challenges and opportunities (ICEFCO), 2018, с. 102-105
  12. А.Г.Кязымзаде, Салманов В.М., Гусейнов А.Г., Р.М.Мамедов, А.А.Салманова ,Н.Д.Дашдамирова. Влияние электрического поля и лазерного возбуждения на спектры поглощения и люминесценции тонких пленок GaSe и InSe. Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasinin xəbərləri, Fizika-texnika və riyaziyyat elmləri seriyası, fizika və astronomiya 2019 №2, səh. 23-29.
  13. Салманов В.М., Гусейнов А.Г., Р.М.Мамедов, А.А.Салманова, Ф.Ш.Ахмедова.. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры  GaS/InSe. Optics and Spectroscopy, 2019, Vol. 126, No. 5, pp. 540–545.
  14. А.Г.Кязымзаде, Салманов В.М., Гусейнов А.Г., Р.М.Мамедов,  А.А.Салманова, З.А.Агамалиев, Ф.Ш.Ахмедова. Инверсия типа проводимости тонких пленок п-InSe под действием лазерного излучения. ЖТФ, т. 89, вып.4, с.599-602. 2019
  15. A.Jafarov, E.F.Nasirov, Р.М.Мамедов,. Nanostructured por Si-Cu2ZnSnS4 thin films .Chalcogenide Letters,  v.16,№7, p.357-363, 2019
  16. Салманов В.М., Гусейнов А.Г., Р.М.Мамедов, А.А. Салманова, Ф.Ш.Ахмедова. The emergence of drift capacity in 2D InSe crystals. Journal of Low Dimensional Systems, v. 3 (1), 2019, p. 9-13
  17. А.Г. Кязымзаде, Салманов В.М., Гусейнов А.Г. , Р.М.Мамедов, А.А. Салманова. Bandfilling effect in GaSe and InSe At high optical exchange levels .Vol. 16, No. 10, October 2019, p. 465 – 469
  18. A.Jafarov, E.F.Nasirov, Р.М.Мамедов, .Nanostructured Cu2ZnSnS4 Thin Films on Porous-Si Wafer. Journal of Materials and Applications 2019;8(1):28-33
  19. В.М. Салманов, А.Г. Гусейнов, Р.М.Мамедов С.С. Рагимов. Получение и свойства структуры InSe (наночастица) – InSe (кристалл). Микро и нанотехнологии в электронике. Материалы XI Межд научно-технической конференции,   Россия Кабардино-балкария, Нальчик,  К-БГУ, 2019, 03-08 июнь, с. 75-79
  20. А.Г. Гусейнов, А.А. Салманова, Р.М.Мамедов, Дашдамирова Н.Д. Нелинейное оптическое поглощение в GaSe при лазерном возбуждении. Оптика и спектроскопия. Т.128, вып.4,513-516, 2020
  21. Гусейнов А.Г., Салманов В.М., Р.М.Мамедов ,Магомедов А.З., Байрамова А. Особенности фотолюминесценции и наносекундная релаксация фототока в кристаллах CuIn5S8 при высоком уровне оптического возбуждения. Оптика и спектроскопия. Т.128, вып. 12, 1849-1853, 2020
  22. Салманов В.М., А.Г. Гусейнов, Р.М.Мамедов, А.А. Салманова. Дашдамирова Н.Д. Поглощение ИК-света свободными носителями, созданными лазерным излучением в кристаллах InSe. AMEA xəbərləri, Fizika-texnika və riyaziyyat elmləri seriyası, fizika və astronomiya. № 2, 163-167, 2020
  23. А.Г. Кязымзаде, Салманов В.М., Гусейнов А.Г., Р.М.Мамедов , Салманова А.А . Ахмедова Ф.Ш. Нелинейные коэффициент поглощения и показатель преломления в GaSe при лазерном возбуждении. BDU xəbərlər. №4,1-10
  24. Гусейнов А.Г.,Салманов В.М., Р.М.Мамедов, Джафаров М.Б ,Салманова А.А. Фотопроводимость и люминесценция кристаллов под действием лазерного излучения. Müasir təbiət elmlərinin aktual problemləri Beynəlxalq Elmi konfrans .Gəncə Dövlət Universiteti, səh.28-34,2020
  25. Salmanov V.M., Guseynov A.H., R.M.Mammadov, Salmanova A.A. Thermal nonlinearities in GaSe.. Chalcogenide Letters, Vol.18,No.4, April 2021,pp.155-159
  26. Məmmədov. Нелинейное поглощение в InSe под действием лазерного излучения. BDU xəbərləri, №3, səh.78-84,2021
  27. Kazim-zade A.G.,Salmanov V.M.,Guseinov A.H.,M.Mammadov, Ragimov S. Qurbanov İ. Jafarova V. Bandgap renomarmalization of the InSe by laser radiation. Azerbaijan Journal of Physics, vol.XXVII ,Number I, March, 2021,pp.24-28.
  28. Гусейнов А.Г. Салманов В.М., Р.М.Мамедов, Рагимов С. Ахмедова Ф.Ш. Получения сверхтонкой пленки селенида индия и галлия на     поверхности жидкой фазы. Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы XII Международной научно-технической конференции - Нальчик: Каб.-Балк. ун-т., стр.120-124,
  29. В.М.Салманов, А.Г.Гусейнов, М.А.Джафаров, Р.М.Мамедов, Т.А.Мамедова. Особенности фотопроводимости и люминесценции тонких пленек CdS и твердых растворов при лазерном возбуждении. Оптика и спектроскопия 2022, том 130, вып.10, 1567-1570
  30. А.Г.Гусейнов, Р.М.Мамедов, А.И.Байрамова, М.М.Джавадова. Особенности динамики спектра фотолюминесцкеции кристалла при изменении интенсивности лазерного возбуждения. Оптика и спектроскопия 2022, том 130, вып.8, 1201-1204

PROQRAMLAR

  1. Magistr təhsil pilləsi “Yarımkeçirici cihazlar və mikroelektronika” ixtisası üzrə “Mikroelektronikanın əsasları”,  "Yarımkeçiricilər fizikası" fənlərinin proqramı. 2018

KİTABLAR

  1. Кязым-заде А.Г.Салманов В.М.Джафаров М.А. Гусейнов А.Г.Мамедов Р.М.Практикум по физике полупроводников dərs vəsaiti, Bakı “Müəllimi” nəşriyyatı, 2013,434 səh.
  2. H.Kazımzadə,V.M.Salmanov A.Z.Abasova, M.Ə.Cəfərov, Ə.H.Hüseynov, L.H.,Həsənova, R.M.Məmmədov, S.Ə.Cahangirova, Ə.Z.Məhəmmədov Yarımkeçiricilər üzrə Praktikum dərs vəsaiti, Bakı “Müəllimi” nəşriyyatı, 2013,404 səh.
  3. H.Kazımzadə, V.M.Salmanov, Ə.H.Hüseynov, M.Ə.Cəfərov, L.H.Həsənova, R.M.Məmmədov – Yarımkeçiricilər fizikasından məsələlər. dərs vəsaiti, “Müəllim nəşriyyatı” Bakı-2014.
  4. H.Kazımzadə, V.M.Salmanov, Ə.H.Hüseynov, M.Ə.Cəfərov, L.H.Həsənova, R.M.Məmmədov – Yarımkeçiricilər fizikasından məsələlər. dərs vəsaiti, “Müəllim nəşriyyatı” Bakı-2014.
  5. В.М.Салманов , Мамедов Р.М. Курс обшей физики. dərs vəsaiti, “Müəllim nəşriyyatı” Bakı-2016
  6. Оптические квантовые генераторы, Баку, 2018

DÖVLƏT VƏ BEYNƏLXALQ PROQRAM VƏ QRANTLAR

  1. Azərbaycan Respublikasının Prezidenti yanında Elmin İnkişafı Fondunun EİF-2012-2(6)-39/07/1-M-24. “və yarımkeçirici birləşmələrdə qeyri-xətti optik və tarazlıqda olmayan elektron proseslərinin lazer şüalarının təsiri ilə tədqiqi. (2013-2014)
  2. Azərbaycan Respublikasının Prezidenti yanında Elmin İnkişafı Fondunun EİF-2012-2(6) qrantı 2018-2019. Layihənin adı: Laylı quruluşlu  və tipli nanometr qalınlıqlı kristallar əsasında fotoelektrik çeviriciləri. Qeydiyyat nömrəsi: EİF/MQM/Elm-Təhsil-1-2016-1 (26)-71/01/1 (2021-2022)

 

 

Əlaqə
Bakı Dövlət Universiteti, əsas bina 3-cü mərtəbə, 319-cu otaq, Bakı şəhəri, akademik Zahid Xəlilov küçəsi, 33, AZ 1148
Tel.: 994125390523 [email protected] Bütün hüquqlar qorunur. Bakı-2023
Rektora müraciət

Əziz tələbələr, Rektora sualınız, təklifiniz yaxud şikayətiniz varsa, müraciət edə bilərsiniz.

Rektora müraciət