Bakı Dövlət Universiteti Fizika fakültəsi

• Аскеров Ш.Г., Мамедов Р.К. Исследование электрических свойств контакта поликристаллического металла с полупроводником. Письма в ЖТФ, 1978, т.4,  в.5,  с.275-277

2. Аскеров Ш.Г., Мамедов Р.К. Влияние неоднородности на свойства контакта металл-полупроводник. ФТП, 1978, т.12, в.10, с.2071-2073
3. Аскеров Ш.Г., Мамедов Р.К. О деградации ВАХ диодов Шоттки. Тезисы докладов Всесоюзного научно-технического семинара “Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем”, Рязань, 1981, с.46-47
4. Аскеров Ш.Г, Мамедов Р.К., Кадимов Г.Г., Гурбанов А.А., Мамедов Р.М. Температурные зависимости различных параметров диодов с барьером Шоттки.  Известия  АН Аз.ССР, серия физ.тех.мат.наук, 1981, № 1,    c 83-87
5. Аскеров Ш.Г, Мамедов Р.К., Мамишев Р.Т. Конструктивно-технологический метод  повышения надежности диодов Шоттки. Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов”, Кишинев, 1982, с.139
6. Мамедов Р.К., Аскеров Ш.Г. Новый подход к анализу электрофизических процессов, происходящих на границе раздела КМП. Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Баку, 1982, т.2, с.233-234
7. Мамедов Р.К. Фотовольтаические явления в солнечных элементах, созданных на основе КМП с барьером Шоттки. Резюме докл. YII Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердых телах, Варна, 1983,  с.32-33
8. Мамедов Р.К. Влияние эмиссионной неоднородности на свойства МДМ структур. Деп. В ВИНИТИ, № 953-83, 1983, 15 с.
9. Мамедов Р.К. Исследование влияния эмиссионной неоднородности на электрофизические свойства контакта металл-кремний. Автореферат канд. диссерт., Баку, 1983, 23 с.
10. Аскеров Ш.Г, Мамедов Р.К., Гурбанов А.А., Алиев Б.З. Влияние площади контакта Cr-nSi на напряжение пробоя диодов Шоттки. Известия АН Аз.ССР, серия физ.тех.мат.наук, 1984, №2.  с.94-98
11. Мамедов Р.К. Параллельно включенные и взаимодействующие переходы с барьером Шоттки. Известия АН Аз.ССР, серия физ.тех.мат.наук, 1984, №5, c 73-76
12. Мамедов Р.К. Металл - полупроводниковые переходы с неоднородным электрическим полем. Материалы научной конференции “Университетская наука –производству” , Баку, 1984, с.85-86
13. Мамедов Р.К., Набиев М.А. Электрический пробой реальных диодов Шоттки. В сборн. “Электрические и оптические свойства вещества”, Баку, 1984, с.66-71
14. Мамедов Р.К.,Набиев М.А. Обратные ветви ВАХ диодов с барьером Шоттки. В сборн. “Физика плазмы и конденсированных сред”, Баку,1985, с.106-111
15. Мамедов Р.К., Набиев М.А. Влияние краевых эффектов на протекание тока в диодах Шоттки. ФТП, 1986, т.20, в.2, с.332-335
16. Мамедов Р.К., Набиев М.А. Влияние эмиссионной неоднородности на коэффициент неидеальности ДШ. В сборн. “Высокоэнергетические и молекулярные процессы”, Баку, 1984, с.66-71
17. Мамедов Р.К., Набиев М.А. Некоторые особенности токов утечки в никель-кремниевых диодах Шоттки. Тезисы докладов II Всесоюзной конференции “Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов”, Кишинев, 1986, ч.II, с.18
18. Мамедов Р.К. Температурная зависимость безразмерного коэффициента ВАХ для периферийного тока Ni-Si ДШ. В сборн. “Некоторые вопросы физической электроники”, Баку, 1987,  с.62-63
19. Мамедов Р.К. Температурные и размерные зависимости параметров выпрямляющих никель-кремниевых контактов. Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика и применение контакта металл-полупроводник”, Киев, 1987, с.114
20. Мамедов Р.К., Набиев М.А. Температурные зависимости параметров ВАХ   Ni-nSi диодов Шоттки.  Известия.АН Аз.ССР, серия физ.тех.мат.наук, 1988, №5, c. 75-82
21. Мамедов Р.К. Образование потенциального барьера по периферии контакта металл-полупроводник. Материалы VII Координационного совещания по исследованию и применению твердых растворов Ge-Si , Баку, 1988,  с.73
22. Мамедов Р.К. Изменение высоты барьера КМП структур в зависимости от температуры. В сборн. ‘Электрические свойства полупроводников и плазмы газовых разрядов”, г.Баку, 1989, с.80-82
23. Мамедов Р.К. Зависимость коэффициента неидеальности от высоты барьера МП структур. Известия АН Аз.ССР, серия физ.тех.мат.наук, 1989, №5, c.45-49
24. Мамедов Р.К. Деградация характеристик титан-кремниевых барьеров Шоттки, Тезисы докладов II Всесоюзной конференции “Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов”,  Кишинев, 1991, ч.II, с.18
25. Мамедов Р.К. Возникновение дополнительного электрического поля в контакте металл-полупроводник. Материал научного доклада в научном совете физфака БГУ, Агентство Авторских Прав Аз. Респ,  Свидетельство           № 65, 1999, 12 с. 
26. Мамедов Р.К. Полупроводниковый диод, Патент № i 2001-0133, Азербайджан, 1999
27. Мамедов Р.К. Способ измерения периферийных токов диодов Шоттки. Патент № i 2003-0010, Азербайджан, 2000
28. Мамедов Р.К. Способ измерения эффективных контактных площадей диодов Шоттки. Патент № i 2003-0012, Азербайджан, 2000
29. Мамедов Р.К., Гурбанов А.А. Экспоненциальный характер токопрохождения по периферии поверхностно-барьерных структур. I Республиканской научной конференции “Актуальные проблемы физики”, Баку,1998, с.82-83
30. Мамедов Р.К. Токопрохождение в реальных диодах Шоттки с дополнительным электрическим полем. II Республиканской научной конференции, “Актуальные проблемы физики”, Баку, 2001, с.58-59
31. Мамедов Р.К. Двухбарьерная физическая модель реальных контактов металл-полупроводник. Вестник Бакинского Университета, серия физ.мат.наук, 2001, №2, с.84-94
32. Мамедов Р.К. Выпрямляющие свойства узких контактов металл-полупроводник. Известия НАНА, серия физ.-мат.-техн. наук, 2001, №2,5, с.13-17
33. Mamedov R.K.. Influence of additional electrical field on I-V characteristic of real Schottky Diodes. Physics  NASA, 2001, v.7,  № 4,  p.6-9
34. Мамедов Р.К. Особенности токопрожождения в реальных диодах Шоттки. Прикладная физика, 2002, № 4, с.143-151
35. Мамедов Р.К. Особенности токопрохождения в диодах Шоттки в широком интервале обратного напряжения. Труды YIII Международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”,Таганрог, 2002,часть 2,с.19-21
36. Mamedov R.K. Influence of Ionizing Radiating on electrophysical characteristic of Schottky diodes with additional electrical field. In: Book of abstracts of International Workshop “Effect of Ionizing Radiation of Ecological Situation of Countries Caucasion Region and Caspion Sea Basin”, Baku,2002,       208-209
37. Мамедов Р.К. Периферийные токи и эффективные контактные площади Диодов Шоттки. Вестник Бакинского Университета, серия физ.мат.наук, 2002, №1, с.15-22
38. Мамедов Р.К. Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки. Прикладная физика, 2003, №1, с.158-165
39. Мамедов Р.К. Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки при отсутствии периферийных эффектов. Прикладная физика, 2003, №3, с. 103-109
40. Мамедов Р.К. Температурные зависимости токопрохождения по периферии контакта в диодах Шоттки. Прикладная физика, 2003, №4, с. 126-132
41. Мамедов Р.К. Температурные зависимости обратной ветви ВАХ диодов Шоттки при больших напряжениях. Прикладная физика, 2003, №5, с.123-129
42. Мамедов Р.К. Зависимости токопрохождения в диодах Шоттки от концентрации примесей полупроводника Прикладная физика. 2003, № 6, с.134-145
43. Мамедов Р.К. Зависимости электрофизических параметров диодов   Шоттки с дополнительным электрическим полем от концентрации примесей полупроводника. Вестник Бакинского Университета, серия физ.мат.наук, 2002, №3,  с.34-42   
44. Мамедов Р.К. Особенности определения электрофизических параметров реальных диодов Шоттки, Вестник Бакинского Университета, серия физ.мат.наук, 2003, №3, с. 123-135
45. Мамедов Р.К. Особенности термоэлектронной эмиссии по периферии контакта диода Шоттки, Известия НАНА, серия физ.мат.и тех.наук, 2003, №5(II), с.69-75
46. Мамедов Р.К. Термоэмиссионная природа преждевременного пробоя реальных диодов Шоттки, International Scientific Conference NASA Institute of Physics, Part 2,  Baku, 2003, 86-92 
47. Мамедов Р.К. Фотоэлектрические свойства диодовШоттки с электрическим полем пятен, Тезис докл. XVIII Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2004, с.142-143
48. Mamedov R.K. Rectifier Schottky diods with electrical spots field, Proceedings Secand International Confrens Physics Techn. Energy, Tabris, 2004, p.425-427
49. Мамедов Р.К. Геометрические и электрофизические параметры активных участков контактной поверхности диода Шоттки, IX Международная Научная-Техническая Конференция Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, Таганрог, 2004
50. Мамедов Р.К. Электрофизические свойства реальных контактов металл – полупроводник, Автореферат диссертации доктора физико-математических нук, Баку, БГУ, 2004, 57 с.
51. Mamedov R.K. Nanocontacts metal – semiconductor. Proceedings I International Scientific Seminar “Light in Nano-Size Solids”, Baku, 2005, p.63-66
52. Мамедов Р.К. Новое направление в исследовании электронных процессов в контакте металл – полупроводник, Международная Научная Конференция по физике, Институт Физики НАНА, Баку, 2005
53. Мамедов Р.К. Электрофизические свойства реальных микро- и наноконтактов металл-полупроуводник Труды VII Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2005, с.81
54. Mamedov R.K. Some particularities of current transport in the metal- dielectric -metal structures, Prosc. IV International Confrens Physics Techn. Energy, Turkey, 2006, p. 543 - 547
55. Мамедов Р.К. Выпрямляющие свойства контакта металла с полупроводниковыми микро- и наночастицами, Труды VIII Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2006, с.214
56. Мамедов Р.К. Токопрохождение в реальных структурах металл-диэлектрик-металл, Тезис докл. XIХ Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения Москва, 2006, 125
57. Мамедов Р.К. Cолнечные элементы на основе микро- и наноконтактов металл-полупроводник, IX Международная Научная-Техническая Конференция Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, Таганрог, 2006, с.186-189
58. Мамедов Р.К. Реальные контакты металл – полупроводник как совокупность взаимодействующих наноконтактов, АМЕА, Физика, 2007, т.ХIII, № 1-2,    с.331-333
59. Мамедов Р.К. Новый принцип конструирования солнечного  элемента на основе  наноконтактов  металл – полупроводник, Труды IХ Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», Ульяновск, 2007, с.
60. Мамедов Р.К. образование потенциального барьера в однородном  КМП с ограниченной контактной поверхностью АМЕА, Физика, 2007, т.ХIII, №4 , с.192-195
61. Мамедов Р.К. Полупроводниковые преобразователи на основе наноконтактов метал – полупроводник, Материаллары Республиканской Конференции «Современные проблемы физики», Баку,2007, с.140-143
62. Kalantarah Y.A., Muradov M.B., Mamedov R.K., Behboudnia M., Khodayari A. Growth process and investigation of some physical properties of CdS nanocrystals formed in polimer matrix by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method. Journal of Cristal Growth, 305 (2007)175-180
63. Kalantarah Y.A., Muradov M.B., Mamedov R.K., Khodari A. Preparation and characterizition of CdS nanoparticles stabilized by PVA using sonochemistry method, Book of Abstracts of E-MRS 2007 Fall Meeting, Warsaw (Poland) 2007, p.20
64. Kalantarah Y.A., Muradov M.B., Mamedov R.K., Khodari A. Structural, compositional and optical characterization of water soluble CdS nanoparticles synthesized by ultrasonic irradiation, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials – Rapid Communications, 2008, Vol. 2, No. 1, p. 42 – 45
65. Мамедов Р.К., Еганех A. Деградация ВАХ диодов Шоттки с уменьшением  температуры. Вестник Бакинского Университета, серия физико-математических наук, 2009, № 3, с.71-80
66. Мамедов Р.К., Еганех A. Юсифова K.Ə Особенности токопрохождения в микро- и наноконтактах металл-полупроводник, BDU-90 Yubileyə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfransın materialları , Təbiət elmləri ceriyası, Bakı, BDU, 2009, s.214-215
67. Мамедов Р.К. Oтсутствие обратного тока микро- и нанодиодов Шоттки с дополнительным электрическим полем. Труды ХI Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхем», Россия, Ульяновск, 2009, с.205
68. Mamedov R.K Yeganeh M., Rahmatollahpur Sh. Sadighi-Bonabi R. Dependency of barrier height and ideality factor on identically Produced Small Au/p-Si Schottky barrier diodes J. Physic B – Condencid matter, 2010 v.405, №16, 3253-3258
69. Мамедов Р.К. Новый принцип создания фотопре­образователей на основе реального контакта металл - полупроводник Тезис докл. XХI Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2010.
70. Мамедов Р.К. Еганех A. Исследовние АСМ методикой действующей роли ДЭП в образовании потенциального барьера диодов Шоттки. V Fizikanın Muasir Problemləri, Respublika Elmi Konfransın materialları, Bakı,BDU,2011
71. Мамедов Р.К. Yeganeh A.. Rahmatallahpur Sh Studing of barrier haight and ideality factor relation in the nano side Au-nSi Schottky diodes. J. Superlattices and Microstructures, 50 (2011), 59-68
72. Mamedov R.K.Yeganeh M.A, Rahmatallahpur Investigation of nano patches in Ni-nSi Schottky diodes with new aspect. J. Material science in semiconductor processing, 2011, v.14, N 3-4, p.266-273
73. Mamedov R.K.Dashdamirov A.F., Yeganeh M. A.Features of sensors on a basis of metal – semiconductor micro-and nanocontacts with additional electric field Materials of Nanotechnology Platform for Electronics and Photonics İnternational Workshop, Baku, 2011, p.2
74. Mamedov R.K..Yeganeh M.A Current transport and formation of enerdy structures in narrou Au-nGaAs Schottky diodes. J. Microelectronics Reliability, 2012, v.52, N 2, p.418-42
75. Mamedov R.K.,.Yeganeh M.A Novinrooz A.J.Investigation of Nano Patches Distribution and Their Effects on the Current Transport Properties of Ni/n-Si Schottky Diode Journal of Advanced Micriskopy Research, 2012, 7, 44–50
76. Mamedov R.K.,.Yeganeh M.A Difference in the electric behavior of micro- and nano Schottky diodes. Superlattices and Microstructures, 51 (2012), 792-798
77. Мамедов Р.К. Непосредственное измерение дополнительного электрического поля в реальных диодах Шоттки XХII Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2012, 244
78. Mamedov R.K.,.Features of the potential barrier and current flowin the narrow Schottky diodes Superlattices and Microstructures, 60 (2013), 300-342
79. Mamedov R.K.,.Yeganeh M.A Novinrooz A.J Nano inhomogenety effect on small Ag-nSi Schottky diode parameters at high temperature. Journal of Semiconductors, 2013, v.34, № 8, p.8-15
80. Мамедов Р.К. Особенности дополнительного электрического поля в реальном контакте металл - полупроводник Вестник БДУ, серия физ.мат.наук, 2013, № 4 c. 128-163
81. Mamedov R.K.,.Muradov M.B., Yusifova K.A., Eyvazova G.M., Salahova A.Z.Study of Dielectric Properties of CdS/PVA Nanocomposites Obtained by Using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction. World Journal Condesid Matter Physics, 2013, v.3, No.1, p.82-86
82. Мамедов Р.К.Дополнительное электрическое поле в диодах Шоттки с МОП канавкой. Вестник БГУ, серия физ.мат.наук, 2014, № 3 с.110-122
83. Мамедов Р.К. Асланова А.Р.Электрические токи в КМП с дополнительным электрическим полем, Материалы IX Международной Научной Конференции «Современные Проблемы Физики», БГУ, 2015, c.212-214
84. Mamedov R.K.,. Aslanova A.R Additional Electric Field in Real Trench MOS Barrier Schottky Diode J. Superlattices and Microstructures, 2016, v.92, p.1-9
85. Мамедов Р.К. Асланова А.Р. Электродвижущая сила контакта Шоттки с дополнительным электрическим полем , Вестник Бакинского Университета , серия физико-математических наук, 2017, № 1 c.71-77.
86. Мамедов Р.К., Асланова А.Р. Alternative current source based Schottky contact with additional electric field J. Supperlattices and Microstructures, 2017, v.107, pp.28-37
87. Mamedov R.K.,. Aslanova A. Features of current-voltage characteristic of non-equilibrium trench MOS barrier Schottky diode J. Supperlattices and Microstructures, 2018, v.118, p.298-307
88. Mamedov R.K., Aslanova A.R. Features of current transport in Schottky diodes with  additionalelectric field " J. Supperlattices and Microstructures, 2019, v.136, 106297
89. . Mamedov R.K., Aslanova A.R., Photoelectric properties of narrow Schottky diodes with an additional electric field, News of Baku University, series of phys-mathemat. sciences, 2019, N1, p.138-152
90. Мамедов Р.К., Асланова А.Р. Musaeva A.A., Электрические свойства двухбарьерных диодов Шоттки, Материалы Международной Научно-Практической Конференции, Баку, БИУ,  2019, c.164-167
91. Mamedov R.K., Aslanova A.R., Ganizade P.O., Musaeva A.A., Temperature dependence of the voltage of additionalelectric field metal - GaAs Schottky diodes, International Conference, Modern trends in physics, BSU, 2019, p.70-71.
92. Мамедов Р.К., Асланова А.Р. " Двухбарьерные энергетические структуры диодов Шоттки", Вестник Бакинского Университета , серия физико-математических наук,2020,№3,с.62-73
93. Мамедов Р.К.,А.Р.Асланова, Т.Э. Исамалыева,Н.М.Мусаева , Особенности образования потенциального барьера реальных диодов Шоттки, Материалы II Международной Научной  Конференции «Проблемы прикладной физики и энергетики», Сумгаит, СГУ, 2020
94. Mamedov R.K., Aslanova A.R. Photoeffect in Schottky diodes with an additional electric field,2nd International Conference on Light and Light-Based Technologies, 2021, Gazi University, Turkey, p.63
95. Mamedov R.K., Babayeva R.F., Aslanova A.R., Dimension dependence of the I - V characteristic of illuminated Au-nGaAs Schottky diodes with an additional electric field ,2nd International Conference on Light and Light-Based Technologies, 2021, Gazi University, Turkey, p.65
96. Mamedov R.K., Aslanova A.R., Two-barrier energy structure of a Schottky diode with additional electric field, 1st International Symposium on Recent Advances in Fundamental and Applied Sciences, Atatürk University Erzurum, Turkey 2021. p,50
97. Mamedov R.K., Babayeva R.F., Aslanova A.R., New type of alternative current source based on Schottky diode with additional electric field, 1st International Symposium on Recent Advances in Fundamental and Applied Sciences, Atatürk University Erzurum, Turkey, 2021. p,49
98. Məmmədov R.Q., Aslanova A.R., Hüseynzadə E., Au-nGaN Şottki diodlarında cərəyan axınının temperatur asililiği, Gənc Tədqİqatçıların VI Beynəlxalq Elmİ Konfransının materialları, Bakı, Mühəndislik Universiteti, 2022, s.48-50
99. Məmmədov R.Q., Aslanova A.R., ƏlizadəR., Şottki diodunun əlavə elektrik sahə gərginliyinin temperatur asılılığı, “Fizika və astronomiya problemləri” adlı magistrantların və gənc tədqiqatçıların XXII Respublika elmi konfransının materialları, Bakı, BDU, 2022, s.86-87
100. Мамедов Р.К., Асланова А.Р., Двухмерная энергетическая структура  диодов шоттки с дополнительным электрическим полем, Вестник Бакинского Университета, серия физ.мат.наук, 2023, №3, с.87-96
101. Mamedov R.K., Aslanova A.R., Two-dimensional energy structure of Schottky diodes, Book of abstracts. 8th International Conference MTP-2023: Modern Trends in Physics, BSU, Baku, 2023.p. 38-39
102. Mamedov R.K., Aslanova A.R., Schottky diodes based on CdS single nanobelts, BSU, Baku, 2023.p. 172-173

KİTABLAR

1. Məmmədov R.Q., Aslanova Ə.R., Optika – Laboratoriya işləri, Bakı, BDU, 2021, 112 s.
2. Məmmədov R.Q., Mayelərdə səthi gərilmə və daxili sürtünmə hadisələri,.Bakı, BDU, 2007, 71 s.
3. Мамедов Р.К., Контакты металл – полупроводник с электрическим полем пятен, Баку, БГУ, 2003, 231 s.
4. Məmmədov R.Q., Mayelərdə səthi gərilmə əmsalının təyini,. Bakı, BDU,1992, 45 s.
5. Məmmədov R.Q. Maye və qazların daxili sürtünmə əmcalının təyini,. Bakı, BDU, 1988, 53 s.