Bakı Dövlət Universiteti Fizika fakültəsi

1. Аскеров Ш.Г., Мамедов Р.К. Исследование электрических свойств контакта поликристаллического металла с полупроводником. Письма в ЖТФ, 1978,  т.4,  в.5,  с.275-277
2. Аскеров Ш.Г., Мамедов Р.К. Влияние неоднородности на свойства   контакта металл-полупроводник. ФТП, 1978, т.12, в.10, с.2071-2073
3. Мамедов Р.К. Температурные и размерные зависимости параметров выпрямляющих никель-кремниевых контактов. Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика и применение контакта металл-полупроводник”, Киев, 1987, с.114
4. Мамедов Р.К. Двухбарьерная физическая модель реальных контактов металл-полупроводник. Вестник Бакинского Университета, серия физ.мат.наук, 2001, №2, с.84-94
5. Мамедов Р.К. Особенности токопрожождения в реальных диодах Шоттки. Прикладная физика, 2002, № 4, с.143-151
6. ММамедов Р.К. Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки. Прикладная физика, 2003, №1, с.158-165
7. Мамедов Р.К. Температурные зависимости токопрохождения в диодах Шоттки при отсутствии периферийных эффектов. Прикладная физика, 2003, №3, с. 103-109
8. Мамедов Р.К. Температурные зависимости токопрохождения по периферии контакта в диодах Шоттки. Прикладная физика, 2003, №4, с. 126-132
9. Мамедов Р.К. Температурные зависимости обратной ветви ВАХ диодов Шоттки при больших напряжениях. Прикладная физика, 2003, №5,      с.123-129
10. Мамедов Р.К. Зависимости токопрохождения в диодах Шоттки от концентрации примесей полупроводника Прикладная физика. 2003, № 6, с.134-145
11. Мамедов Р.К. Особенности термоэлектронной эмиссии по периферии контакта диода Шоттки, Известия НАНА, серия физ.мат.и тех.наук, 2003, №5(II), с.69-75
12. Mamedov R.K. Rectifier Schottky diods with electrical spots field, Proceedings Secand International Confrens Physics Techn. Energy, Tabris, 2004, p.425-427
13. Мамедов Р.К. Геометрические и электрофизические параметры активных участков контактной поверхности диода Шоттки, IX Международная Научная-Техническая Конференция Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, Таганрог, 2004
14. Мамедов Р.К. Реальные контакты металл – полупроводник как совокупность взаимодействующих наноконтактов, АМЕА, Физика, 2007, т.ХIII, № 1-2,    с.331-333
15. Mamedov R.K Yeganeh M., Rahmatollahpur Sh. Sadighi-Bonabi R. Dependency of barrier height and ideality factor on identically Produced Small Au/p-Si Schottky barrier diodes J. Physic B – Condencid matter, 2010 v.405, №16, 3253-3258
16. Мамедов Р.К. Yeganeh A.. Rahmatallahpur Sh Studing of barrier haight and ideality factor relation in the nano side Au-nSi Schottky diodes. J. Superlattices and Microstructures, 50 (2011), 59-68
17. Mamedov R.K.Yeganeh M.A, Rahmatallahpur Investigation of nano patches in Ni-nSi Schottky diodes with new aspect. J. Material science in semiconductor processing, 2011, v.14, N 3-4, p.266-273
18. Mamedov R.K..Yeganeh M.A Current transport and formation of enerdy structures in narrou Au-nGaAs Schottky diodes. J. Microelectronics Reliability, 2012, v.52, N 2, p.418-42
19. Mamedov R.K.,.Yeganeh M.A Difference in the electric behavior of micro- and nano Schottky diodes. Superlattices and Microstructures, 51 (2012), 792-798
20. Mamedov R.K.,.Features of the potential barrier and current flowin the narrow Schottky diodes Superlattices and Microstructures, 60 (2013), 300-342
21. Mamedov R.K.,.Yeganeh M.A Novinrooz A.J Nano inhomogenety effect on small Ag-nSi Schottky diode parameters at high temperature. Journal of Semiconductors, 2013, v.34, № 8, p.8-15
22. Мамедов Р.К. Особенности дополнительного электрического поля в реальном контакте металл - полупроводник Вестник БДУ, серия физ.мат.наук, 2013, № 4 c. 128-163
23. Мамедов Р.К.Дополнительное электрическое поле в диодах Шоттки с МОП канавкой. Вестник БГУ, серия физ.мат.наук, 2014, № 3 с.110-122
24. Mamedov R.K.,. Aslanova A.R Additional Electric Field in Real Trench MOS Barrier Schottky Diode J. Superlattices and Microstructures, 2016, v.92, p.1-9
25. Мамедов Р.К., Асланова А.Р. Alternative current source based Schottky contact with additional electric field J. Supperlattices and Microstructures, 2017, v.107, pp.28-37
26. Mamedov R.K.,. Aslanova A. Features of current-voltage characteristic of non-equilibrium trench MOS barrier Schottky diode J. Supperlattices and Microstructures, 2018, v.118, p.298-307
27. Mamedov R.K., Aslanova A.R. Features of current transport in Schottky diodes with  additionalelectric field " J. Supperlattices and Microstructures, 2019, v.136, 106297
28. Mamedov R.K., Aslanova A.R., Ganizade P.O., Musaeva A.A., Temperature dependence of the voltage of additionalelectric field metal - GaAs Schottky diodes, International Conference, Modern trends in physics, BSU, 2019, p.70-71.
29. Mamedov R.K., Aslanova A.R. Photoeffect in Schottky diodes with an additional electric field,2nd International Conference on Light and Light-Based Technologies, 2021, Gazi University, Turkey, p.63
30. Mamedov R.K., Aslanova A.R., Two-barrier energy structure of a Schottky diode with additional electric field, 1st International Symposium on Recent Advances in Fundamental and Applied Sciences, Atatürk University Erzurum, Turkey 2021. p,50

KİTABLARI

1. Məmmədov R.Q., Aslanova Ə.R., Optika – Laboratoriya işləri, Bakı, BDU, 2021, 112 s.
2. Məmmədov R.Q., Mayelərdə səthi gərilmə və daxili sürtünmə hadisələri,.Bakı, BDU, 2007, 71 s.
3. Мамедов Р.К., Контакты металл – полупроводник с электрическим полем пятен, Баку, БГУ, 2003, 231 s.
4. Məmmədov R.Q., Mayelərdə səthi gərilmə əmsalının təyini,. Bakı, BDU,1992, 45 s.
5. Məmmədov R.Q. Maye və qazların daxili sürtünmə əmcalının təyini,. Bakı, BDU, 1988, 53 s.