SEÇİLMİŞ ELMİ ƏSƏRLƏRİ

  1. Определение длины экранирования Дебая из проводимости пленок PbTe. Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası, Физика, 2005, №4
  2. p-n переходы на основе пленок PbTe, легированных кислородом. Bakı Universiteti xəbərləri fizika-riyaziyyat seriyası, Bakı, 2006 №3
  3. Влияние структуры подложки и температуры на совершенство пленок PbTe. Bakı Univesiteti xəbərləri fizika-riyaziyyat seriyası, Bakı, 2006, №4
  4. Проводимось полупроводниковой пленки на сегнетоЭлектрической подложке Российской Академии наук. Нано и Mикросистемная техника, 2007, №2
  5. . Поведение фазового перехода в Pb1-xSnxTe вблизи инверсии зон. Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası, Физика, 2007, № 5
  6. Зависимость проводимости полупроводниковой пленки PbTe от поляризационного состояния сегнетоЭлектрика. Российской Академии наук, Нано и Mикросистемная техника. 2007, №12
  7. The temperature profile and bias dependent series resistance of Au/Bi4Ti3O12/Si2/n-Si (MFIS) structures. VACUUM Surface Engineering, Surface Instrumentation & Vacuum Technology USA, 2008
  8. Еффект переключения в пленках n-Cd1-xZnxS1-ySey. Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası, Физика, 2008, Cild XIV, №4
  9. Влияние сегнетоЭлектрической о подложки на проводимость полупроводниковой пленки. Российская Академия наук, ФТП, 2009, № 2
  10. Наноструктурные и морфологические свойства пленок SrTiO Российской Академии наук. Нано и Mикросистемная техника, 2010, №4
  11. p-n переходы на основе пленок PbTe, легированных кислородом. Бакы Университетин Xəbərləri , физика-рийазиййат серийасы, Бакы, 2010, №3
  12. Электрическая поляризация внутренного поля сегнетоıлектриков. Sumqayıt Dövlət Universiteti Elmi Xəbərlər 2011 № 4 s 16-19
  13. Kondensasiya sürətinin PbTe təbəqələrinin keзiricilik tipinə təsiri. Fizikanın müasir problemləri” VI Respublika konfransı 2012 s 110-112
  14. Heterokeçidlərinin tədqiqi. Fizikanın müasir problemləri” VII Respublika konfransı 2013
  15. Электропроводность полу- проводников в слабых и сильных Электрических полях. Fizikanın müasir problemləri” IX Respublika konfransı 2015
  16. p-Si/məsaməli –Si/ nano- quruluşlu-CdS hetero- keçidlərinin fotoelektrik xassələri. Fizikanın aktual problemləri IX-Rеspub- lika кonfransı, Bakı,22 dekabr 2016, s.70-73.
  17. p-Si/məsaməli –Si/ nano- quruluşlu-CdS heterokeçid- lərinin elektrik və fotoelektrik xassələri. Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası, Физика, 2016 v- XXII №4 s13-18
  18. Nano-structured solar cell based on c-Si/porous-Si/CdS/ZnxCd1-xO heterostructures, Proceedings of International conference Modern trends in Physics, 2017, p.16-19
  19. PbTe və Pb1-xSnxTe(0£x£3) birləşmələrinin epitaksial təbəqələrinin xassələri. Respublikamızda qida və tekstil sənayesinin inkişaf perspektivləri və qarşıda duran vəzifələr”mövzusunda II respublika elmi-praktiki konfransi (25 aprel, 2018-ci il) Bakı-2018
  20. Эффект Холла в высокоомных монокристаллах Sb2S3 и Sb2Se3// Журнал "Наука, техника, образование". М., Проблемы Науки, 2018, № 5 (46), с. 6-8
  21. Abdinov A.Sh., Mamedov H.M., Sarmasov S.N. Surface morphology effects in p-Si/Cd1-xZnxO heterojunctions, Bakı Universitetinin Xəbər­ləri (fizika-riyaziyyat seri­yası), 2017, № 4, s. 37-40
  22. Нуруллаев Ю.Г, Сармасов С.Н. Эффект Холла в высокомных  монокристаллах Sb2S3 и  Sb2Se3 . Журнал "Наука, техника, образование". М., Проблемы Науки, 2018, № 5 (46), с. 6-8
  23. Pənahov M.M., Sərməsov S.N. Termik işlənmənin heterokeçidlərinin elektrik xassələrinə təsiri. Gənc tədqiqatçıların"Fİzika və astronomiya problemləri" beynəlxalq elmi konfransı. BAKI 2018 s-120-123
  24. Sərməsov S.N., Abdullayev T.Ş. PbTe və Pb1-xSnxTe (0£x£3) birləşmələrinin epitaksial təbəqələrinin xassələri. Azərbaycan Dövlət İqtisad Universiteti.  II Respub- lika elmi-praktiki konfransı. 25 aprel  2018 s.164-166
  25. Sərməsov S.N. Cəfərova A.N. İnsanların gələcəyi və mars. Tələbələrin III Respublika Elmi Konfransının materialları, səh. 110-111, Bakı 2018
  26. Сармасов С.Н., Рагимов Р.Ш., Исмаилова Р.Н. Температурная зависимость удельного сопротивления Pb1-хSnхTe вблизи инверсии зон. East european science journal физико-математические науки Warsaw, Poland). 3 (43), 2019 p67-70
  27. M. Panahov, S.N.Sarmasov,  R. Sh.Rahimov. Manufacture of film resistance. Modern trendain Physics İnternationalConference Baku  2019, p 145-147
  28. Сармасов С.Н., Рагимов Р.Ш. Термоэлектрические преобразователи ик-излучения на основе Ag3 İn5 Te9 . Sciences of Europe # 136, (2024) 77-80
  29. Süleyman Sərməsov, Rəhim Rəhimov. p-Pb1-x Snx Te/n-PbTe heterostrukturunun alınması və elektrofiziki xassələri. Bakı Universetinin xəbərləri, Fizika-riaziyyat seriyası, 2023, səh 105-111
  30. Süleyman Sərməsov, Rəhim Rəhimov. p-Pb1-x Snx Te/n-PbTe heterostrukturunun alınması və elektrofiziki xassələri. Bakı Universetinin xəbərləri, Fizika-riaziyyat seriyası, 2023, səh 105-111
Saytın xəritəsi Abituriyentlər üçün Tələbələr üçün Məzunlar üçün Əməkdaşlar üçün
Əlaqə
Bakı Dövlət Universiteti, əsas bina 3-cü mərtəbə, 319-cu otaq, Bakı şəhəri, akademik Zahid Xəlilov küçəsi, 33, AZ 1148
Tel.: 994125390523 [email protected] Bütün hüquqlar qorunur. Bakı-2023
Rektora müraciət

Əziz tələbələr, Rektora sualınız, təklifiniz yaxud şikayətiniz varsa, müraciət edə bilərsiniz.

Rektora müraciət