Bakı Dövlət Universiteti Fizika fakültəsi

28 aprel 2023-cü il tarixində Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının elmi seminarı keçirilib. Seminarda kafedranın baş müəllimi Rövşən Məmmədov “Lazer şüalanmasının təsiri ilə yarımkeçirici kristalda keçiriciliyin tipinin inversiyası” mövzusunda  məruzə ilə çıxış edib.

Məruzəçi qeyd edib ki, aparılmış tədqiqatların nəticəsi olaraq, yarımkeçirici homokeçidli strukturun yaradılması üçün yeni üsul təklif olunub. Bu üsulun mahiyyəti ondan ibarətdir ki, kristal qəfəsdə kation və ya anion vakansiyaları olan mürəkkəb yarımkeçirici birləşmələrdə lazer şüalarının təsiri ilə elektrik keçiriciliyinin tipində inversiya baş verir və beləliklə, kristalın şüalanmış və şüalanmamış hissələri arasında homokeçid yaranır. Lazer şüalanmasının dalğa uzunluqlarını və gücünü seçməklə (kristalın udma əmsalının spektrini nəzərə alaraq) p-n homokeçidin formasını, dərinliyini və enini idarə etmək mümkündür və onlardan nöqtəvi yarımkeçirici diodlar və ya tranzistor strukturları hazırlamaq olar. Müəyyən edilib ki, 1,2...1,5 μm qalınlığında olan nazik n-InSe təbəqələrdə yüksək güclü, impulslu lazer şüalanmasının təsiri elektrik keçiriciliyinin tipini dəyişir. Nümunənin şüalanmaya məruz qalan və qalmayan sahələri arasında rekombinasiya tipli cərəyan axını mexanizmi ilə p-n keçidi əmələ gəlir. Belə nəticəyə gəlinib ki,   n-InSe kristalının keçiriciliyinin tipinin inversiyasına səbəb lazer şüalanma enerjisindən qızma nəticəsində kristal qəfəs defektlərinin davranış dinamikasının dəyişməsidir.

Seminarın sonunda mövzu ətrafında müzakirələr aparılıb və suallar cavablandırılb.