Fizika fakültəsində elmi seminar keçirilib
27 fevral 2025-cü il tarixində Fizika fakültəsi Ümumi fizika və FTM kafedrasının elmi seminarı keçirilib. Seminarda kafedranın dosenti Vüsalə Dadaşova “GASXSE1-X bərk məhlul kristallarında keçiriciliyin və fotokeçiriciliyin anizotropluğu” mövzusunda məruzə edib. Məruzədə qeyd olunub ki, yarımkeçirici mikro- və optoelektronikasının sürətli inkişafı ilə əlaqədar olaraq, müxtəlif xassələrə malik olan çoxfunksiyalı yarımkeçirici elementlərə olan tələbat gündən-günə artır. Bu elementlər mikro- və optoelektronikanın bir sıra məntiqi yaddaş qurğularında, rəqəmli indikatorlarda və matrisalı ekranlarda istifadə olunur. Belə elementlərin funksiyalarını artırmaq, aparılan əməliyyatları sürətləndirmək üçün onların iş prinsipinin fiziki əsaslarının öyrənilməsi, yeni mürəkkəb yarımkeçiricilərin və bərk məhlulların alınması və tədqiqi zərurəti yaranır.
GaSx Se1-x monokristallarında C oxuna paralel istiqamətdə eektrik keçiriciliyinin temperatur asılılığından təyin edilən aktivləşmə enerjisi C oxuna perpendikulyar istiqamətdəki aktivləşmə enerjisindən qədər böyük olur. parametri müxtəlif nümunələrdə 20-100 meV intervalında qiymət alır və bərk məhlulun tərkibindən asılı olmur. Bunun nəticəsində keçiriciliyin temperaturdan eksponensial asılı olan anormal böyük anizotropluğu müşahidə edilir.
Baxılan kristallarda cərəyan kontaktlarının müxtəlif kombinasiyalarında fotokeçiricilik spektrinin anizotropluğu müşahidə edilir. Cərəyan kontaktları işıqlanan səthdə yerləşdikdə (eninə rejim) həm həm də oblastında fotohəssaslıq müşahidə olunur. Cərəyan kontaktları işıqlanmayan səthdə yerləşdikdə (eninə rejim) isə və ya uzununa rejimdə fotohəssaslıq yalnız oblastında müşahidə edilir.
Elektrik keçiriciliyinin və fotokeçiriciliyinin və fotokeçiricilik spektrinin müşahidə edilən anizotropluğu C oxu istiqamətində zonaların kənarında elektron hallarının lokallaşması ilə izah edilir. Fərz edilir ki, laylar arası rabitələrin zəif olması hesabına real kristallarda bir qrup layın digərinə nəzərən təsadüfi sürüşməsi baş verir. Bunun nəticəsində C oxu istiqamətində nümunəyə birölçülü təsadüsfi potensual təsir edir və bu da Anderson modelinə uyğun olaraq, elektron halllarının lokallaşmasına səbəb olur.
