Fizika fakültəsində magistrantların elmi seminarı keçirilib
13 iyun 2024-cü il tarixində Bakı Dövlət Universiteti Fizika fakültəsinin Ümumi fizika və fizikanın tədrisi metodikası kafedrasında “Kvant elektronikası” ixtisaslaşması üzrə təhsil alan magistrantların dissertasiya işlərinin ilkin müzakirəsinə həsr olunmuş elmi seminar keçirilib. Seminarda II kurs magistrantları Əmirova Güllər Samir qızı, Kərimova Aysel Səhhət qızı, Şabizadə Xəyalə Nizami qızı və Əliyev Kamil Ədalət oğlu məruzə ediblər.
Güllər Əmirova “Cu3 İn5 Se9 birləşməsinin termoelektrik xassələrinin tədqiqi” mövzusunda məruzəsində bildirib ki, yarımkeçirici materialşünaslıq sahəsində inkişaf məlum cihazların parametrlərini yaxşılaşdırmağa imkan verən yeni materialların yaradılması sahəsində uğurlu nəticə ilə müəyyən edilir, prinsipcə yeni funksionallığı olan cihazlar yaradılır. Tədqiqatın məqsədi strukturuna görə mükəmməl və tərkibinə görə homojen kristalların əmələ gəlməsinin əsas prinsiplərinin müəyyən edilməsidir. Cu3In5Se9 monokristalının elektrik keçiriciliyi, termoelektrik hərəkət qüvvəsi və istilik tutumu tədqiq olunaraq aşağıdakılar müəyyənləşdirilib: Cu3In5Se9 monokristalına ən yaxşı omik elektrik kontaktı yaradan material indium metalıdır. Cu3In5Se9 monokristalında əsas yükdaşıyıcılar elektronlardır. Temperaturun artması ilə termoelektrik hərəkət qüvvəsi artır, T>300K-də sürətlə azalıb işarəsini dəyişir. Qismən yuxarı temperaturlarda yükdaşıyıcıların konsentrasiyası temperaturdan kəskin asılıdır. Cu3In5Se9 birləşməsinin istilik tutumu 77-300 K temperatur intervalında temperaturun artması ilə artır və T> 300 K-dən sonra sabit qalır. Tədqiq olunan monokristalın Debay temperaturu bu intervalda yerləşmişdir.
Aysel Kərimova “PP+Ti əsasında alınmış polimer nanokompazit materialların quruluşu və fiziki xassələri” mövzusunda məruzəsində bildirib ki, son zamanlar çeviricilər texnikası üçün yüksək istismar və aktiv xassələrə malik polimer nanokompozit materialların alınmasına və strukturunun tədqiqinə və tətbiqi imkanlarının araşdırılmasına maraq xeyli artıb. Müxtəlif aktiv xassələrə (maqnit, katalitik, fotolyüminisent, fotovoltaik, fotorezistiv və.s) malik nanohissəcikləri polimer matrisaya daxil etdikdə nanohissəciklər polimer matrisanın üstmolekulyar quruluşunun formalaşmasında iştirak edərək alınan kompozitlərin xassələrini geniş diapazonda dəyişə bilir. Alınan nanokompozitlər adi polimer kompozitlərdən fərqli olaraq yeni fiziki–mexaniki, termiki, elektrik, optik və digər xüsusi xassələrə malik olur ki, bu da həmin materialların geniş istifadəsi üçün yeni imkanlar açır. Müəyyən edilib ki, polipropilen matrisaya titan nanohissəcikləri daxil etdikdən sonra polimerin kimyəvi quruluşu deyil, fiziki quruluşunda və bəzi fiziki xassələrində dəyişikliklər baş verir. Nanohissəciklərin polipropilen matrisada konsentrasiyasından asılı olaraq tədqiqi zamanı müəyyən olunub ki, titan nanohissəciklərinin 1-3% həcmi miqdarında polimerin üstmolekulyar quruluşununun dəyişilməsi və nisbətən nizamlı quruluşunun formalaşması baş verir, titan nanohissəciklərin polimerdə həcmi miqdarı artdıqca nanokompozitlərin kristallaşma dərəcəsi artır. Göstərilib ki, PP+Ti əsaslı nanokompozitlərin xüsusi müqaviməti temperaturdan asılı olaraq dəyişir və bu dəyişmə üç hissədən ibarətdir. Xüsusi müqavimətin temperaturdan asılılığının birinci və üçüncü hissəsi polimerin və nanohissəciyin müqavimətinin azalması ilə, ikinci hissənin ektremumla dəyişməsi polimerin kristallik fazasının dağılması hesabına titan nanohissəcikləri arasındakı polimer təbəqənin ölçüsünün artması hesabına nanohissəciklərin arasındakı məsafənin böyüməsi ilə izah olunur.
Xəyalə Şabizadə “Qrafit monotəbəqəsi ilə örtülmüş iridiumun səthində CsCl molekulları ilə Ba atomlarının birgə adsorbsiyası” mövzusunda məruzəsində qeyd edib ki, çətin əriyən və platin qrupu metalların səthində qrafitin monotəbəqə və çoxqatlı təbəqə əmələ gəlməsi məsələsinin aydınlaşdırması, atomların iridiuma interkalasiya və diffuziya proseslərinin öyrənilməsi aktual məsələlərdən biridir. Tədqiqatın məqsəd və vəzifələri İridiumun səthində qrafit monotəbəqəsinin alınması, geniş temperatur diapazonunda adsorbsiya zamanı alınan metal təbəqəli sistemin adsorbsiya, desorbsiya, emissiya xassələrinin necə dəyişməsini araşdırmaq və s. kimi məsələlərdən ibarətdir. Tədqiqatın təcrübi metodikası termoelektron, termoion və lazer desorbsiyasına, nəzəri metodikası RiçardsonDeşman, Sax Lenqmür, Arenus nəzəriyyələrindən istifadə etməklə xüsusi hesablamalara əsaslanıb. Müəyyən edilib ki, iridiumun səthində alınan qrafit təbəqəsi CsCl molekulunun dissosiasiyasını praktiki olaraq kəsir və eyni şəraitdə Ba atomları ilə birgə adsorbsiya nəticəsində CsCl molekulunun dissosiasiyası yenidən bərpa olunur. Müəyyən edilib ki, CsCl molekulu qrafitlə örtülmüş səthdə praktiki olaraq dissosasiya etmir. Dissosasiya əmsalı üçün 10-5-10-6 qiyməti alınıb. CsCl moleklulları ilə Ba atomunun birgə adsorbsiyası zamanı kimyəvi reakasiya baş vermədiyi müəyyən edilib və bariumun sərf olma əmsalının seldən və nümunənin temperaturundan asılılığından müəyyən edilib ki, 950 K-dən aşağı temperaturda bu əmsal sabit qalmır, monoton olaraq azalır.
Seminarın sonunda Kamil Əliyev “TlGaSe2-TlİnS2 bərk məhlulunun sıçrayışlı keçidinə və Pull-Frenkel effektinə qamma şüaların təsiri” mövzusunda çıxış edib. O, bildirib ki, tədqiqat işində məqsəd g-kvantların təsirinə məruz qalmış (TlGaSe2)x(TlInS2)1-x (x=0;0,1;0,9;1,0) bərk məhlullarında sıçrayışlı keçiriciliyin və Pul-Frenkel effektinin xüsusiyyətlərinin öyrənilməsindən ibarət olub. Qarşıya qoyulan məqsədə çatmaq üçün aşağıdakı məsələlər həll edilib:
- müvafiq texnoloji rejim seçməklə (TlGaSe2)x(TlInS2)1-x sistemli bərk məhlullarının sintezi və monokristallarının yetişdirilməsi;
- g - kvantlarla şüalandırılmış (TlGaSe2)x(TlInS2)1-x sistemli bərk məhlullarının elektrik keçiriciliyinin 100-300 K temperatur intervalında və geniş tezlik (25-106 Hz) oblastında tədqiqi;
- g - kvantlarla şüalandırılmış (TlGaSe2)x(TlInS2)1-x sistemi bərk məhlulların sahə təsiri altında cərəyan sıxlığının və Pul-Frenkel effektinin tədqiqi.
15 Mrad γ-şüalanmaya məruz qalmış (TlGaSe2)1-x(TlInS2)x (0; 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,6; 0,7; 0,8; 0,9; 1,0) sistemi bərk məhlullarında 300-100K temperatur intervalında yük daşınması prosesi yükdaşıyıcıların Fermi səviyyəsi ətrafında yerləşən lokallaşmış hallar üzrə sıçrayışı ilə baş verir və Mott yaxınlaşması çərçivəsində izah edilir. Müəyyən edilib ki, 15 Mrad γ-şüalanmaya məruz qalmış TlGaSe2 kristalının Volt-Amper xarakteristikalarının qeyri-xətti hissəsində cərəyan zəif sahə effekti ilə şərtlənir və Frenkelin istilik-sahə effekti cərcivəsində izah edilir. Şüalanmamış və 15 Mrad şüalanmış TlGaSe2 kristalları üçün ionlaşmış mərkəzlərin konsentrasiyası (Νt), sərbəst qaçış yolunun uzunluğu (λ), Frenkel əmsalının qiyməti (β) hesablanmış və potensial çuxurun forması müəyyən edilib.
Məruzəçilər seminar iştirakçılarının suallarını cavablandırıblar. Dissertasiya işləri müsbət qiymətləndirilib və Yekun Dövlət Attestasiyasına təqdim olunması təklif edilib.
