Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının elmi seminarı keçirilib
27 aprel 2023-cü il tarixində Fizika fakültəsinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının elmi seminarı keçirilib. Seminarda kafedranın baş müəllimi Rövşən Məmmədov “Lazer şüalanmasının təsiri ilə yarımkeçirici kristalda keçiriciliyin tipinin inversiyası” mövzusunda məruzə edib. Məruzəçi qeyd edib ki, aparılan tədqiqatların nəticəsində yarımkeçirici homokeçidli strukturun yaradılması üçün yeni üsul təklif olunur. Bu üsulun mahiyyəti ondan ibarətdir ki, kristal qəfəsdə kation və ya anion vakansiyaları olan mürəkkəb yarımkeçirici birləşmələrdə lazerl şüaların təsiri ilə elektrik keçiriciliyin tipində inversiya baş verir və beləliklə, kristalın şüalanmış və şüalanmamış hissələri arasında homokeçid yaranır. Lazer şüalanmasının dalğa uzunluqlarını və gücünü seçməklə (kristalın udma əmsalının spektrini nəzərə alaraq) p-n homokeçidin formasını, dərinliyini və enini idarə etmək mümkündür və onlardan nöqtəvi yarımkeçirici diodlar və ya tranzistor strukturları hazırlamaq olar. Müəyyən edilib ki, 1,2...1,5 μm qalınlığında olan nazik n-InSe təbəqələrdə, yüksək güclü, impulslu lazer şüalanmasının təsiri elektrik keçiriciliyinin tipini dəyişir. Nümunənin şüalanmış və şüalanmayan sahələri arasında rekombinasiya tipli cərəyan axını mexanizmi ilə p-n keçidi əmələ gəlir. n-InSe kristalının keçiriciliyinin tipinin inversiyasına səbəb lazer şüalanma enerjisindən qızma nəticəsində kristal qəfəs defektlərinin davranış dinamikasının dəyişməsidir.
Sonda məruzə üzrə müzakirələr aparılıb və iştirakçıların sualları cavablandırılıb.