Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının elmi seminarı keçirilib
29 noyabr 2024-cü il tarixində Fizika fakültəsi Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının növbəti elmi seminarında kafedranın doktorantı Turanə Məmmədova “Lazer ablyasiyası üsulu ilə metal (Ga,İn,Cd) halkogenidlərin (Se, S,Te) nanozərrəciklərinin alinmasi və optik xassələri” mövzusunda məruzə ilə çıxış edib. Məruzəçi lazer ablyasiyası üsulu ilə AIIIBVI və AIIBVI yarımkeçirici birləşmələrinin nanozərrəciklərinin sintezi, struktur analizi, optik və fotolüminessensiya hadisələrinin, o cümlədən qeyri-xətti optik effektlərin aşkar edilməsi və çoxlaylı yarımkeçirici strukturların parametrlərinin ikifotonlu optik udma üsulu ilə müəyyən edilməsi haqqında məlumatları təqdim edib. Müəyyən edilib ki, lazer ablyasiyası üsulu ilə həm kristallardan həm də ayrıca götürülmüş elementlərdən yarımkeçirici nanozərrəciklər almaq olar və kristalın səthində lazer şüalarının təsiri ilə plazma buludu yaranır. İstilikkeçirmə tənliyi vasitəsilə plazmanın temperaturunun 105 K-ə bərabər olduğu göstərilib. Müasir tədqiqat üsulları olan rentgen difraksiya analiz, skanedici elektron mikroskopu, atom qüvvə mikroskopu və energetik dispersiyalı rentgen spektroskopiyası vasitəsilə sintez edilmiş nanozərrəciklərin səth morfologiyası və struktur analizi aparılıb. Alınmış nanozərrəciklərin optik, qeyri-xətti optik, lüminessensiya və fotokeçiricilik xassələri təcrübi olaraq ölçülüb. Yüksək optik həyəcanlaşmada İnSe nanozərrəciklərində qeyri-xətti optik hadisə müşahidə olunub. Çoxlaylı yarımkeçirici nazik təbəqələrinin parametrləri (qadağan olunmuş zolağın eni, təbəqələrin qalınlığı, aşqar səviyyələri) ikifotonlu optik udma üsulu ilə müəyyən ediliib. Məruzədə təqdim olunan məlumatlar xarici və respublikada dərc olunan jurnallarda 16 elmi məqalədə öz əksini tapıb.