Fiziki elektronika kafedrasının elmi seminarı keçirilib
03 aprel 2026-cı il tarixində Fizika fakültəsi Fiziki elektronika kafedrasının növbəti elmi seminarında kafedranın dosenti İzzət Əfəndiyeva ““Re/n-GaAs Şottki diodunun dielektrik xassələrinin tezlikdən asılılığı” mövzusunda çıxış edib. Məruzəçi bildirib ki, tədqiqatlarda PLD texnikası istifadə edilməklə alınmış Re/n-GaAs Şottki diodlarının dielektrik xassələri öyrənilib. İmpedans üsulu ilə diodların tutum (C-V) və keçiriciliyi (G-V) geniş gərginlik (-2 +5V) və tezlik (10 kHs- 1 MHz) intervallarında ölçülüb. Alınan xarakteristikalar əsasında kompleks dielektrik nüfuzluğunun real (ε’) və xəyali (ε″) hissələri, itki tangensi (tan δ), müqavimət (Rs) və ac-keçiriciliyi (σac) hesablanıb, tezlikdən asılılıqları araşdırılıb. Aşkar edilib ki, aşağı tezliklərdə səth halları böyük rol oynayır.
Seminarın sonunda müzakirələr aparılıb və suallar cavablandırılıb.
