Bakı Dövlət Universiteti Fizika fakültəsi

12 fevral 2026-cı il tarixində Fizika fakültəsinin Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının növbəti elmi seminarında kafedranın müəllimi Fidan Əhmədova “GaSe–Ge heterostrukturunun xarakteristikaları” mövzusunda çıxış edib. Məruzəçi GaSe–Ge heterostrukturunun heterokeçidin fiziki mexanizmləri barədə məlumat tqədim edib. Təqdimat zamanı aparılmış fotokeçiricilik tədqiqatlarının nəticələri analiz edilib. Alınan nəticələr əsasında bu heterostrukturun yüksək fotohəssaslıq nümayiş etdirdiyi göstərilib. Sonda materialın fotodetektor və digər optoelektronik qurğular üçün perspektivli olduğu qeyd edilib.