Bakı Dövlət Universiteti Fizika fakültəsi

10 oktyabr 2024-cü il tarixində Fizika fakültəsi Fiziki elektronika kafedrasının elmi seminarı keçirilib. Seminarda kafedra müdiri professor Əhməd Abdinov “Laylı  kristal quruluşlu A^IIIB^VI yarımkeçiricilərində yaddaş effektləri: fiziki mahiyəti  və  praktiki  tətbiq imkanları” mövzusunda çıxış edib.

Məruzəçi bildirib ki, müasir elektronikanın ən maraqlı, geniş tətbiq tapmış və perspektivli sahəsi oıan optoelektronikanın da, bərk cisim elektronikasının və ümumiyyətlə elektronikanın digər sahələri kimi,  əksər cihaz, qurğu və sistemlərində müxtəlif  funksiyalara, işləmə prinsipinə malik olan yaddaş elementləri əhəmiyyətli rol oynayır. Bu səbəbdən də  ayrı-ayrı elmi-texniki istiqamətlərdə çalışan tədqiqatçılar – fiziklər, texnoloqlar, konstruktorlar və digərləri müntəzəm olaraq  belə məqsədlər üçün yarayan  daha böyük imkanlara, əlverişli keyfiyyətlərə malik olan operativ və arxiv yaddaş elementlərinin yaradılması, eləcə də  artıq mövcud olanların yaddaş elementlərinin  daha da təkmilləşdirilməsi istiqamətində axtarışlar aparırlar. Əksər hallarda  bu  tip funksional elementlər  kifayət qədər mürəkkəb quruluşa və  hazırlanma texnologiyasına  malik olan  müxtəlif tip kontakt strukturları, yaxud bir neçə  sadə elementdən ibarət  mürəkkəb komplekslər  əsasında yaradılır.  Bununla yanaşı, bir sıra amorf və kristal yarımkeçirici materiallar  əsasındakı  rezistor xarakterli, yəni heç bir kontakt strukturuna, yaxud  mürəkkəb kompleksə malik olmayan sadə elementlərdə də  müxtəlif xarakter və təbiətli    yaddaş effektləri müşahuidə olunur. Belə  yarımkeçirici materiallardan bir qrupu da fundamental və praktiki tətbiq baxımından  çox maraqlı və rəngarəng yaddaş  xassələrinə malik olan laylı quruluşlu A^IIIB^VI yarımkeçiricilərinin monokristallarıdır. Həmin monokristallarda müşahidə olunan fotoelektrik və spektral tipli optik, eləcə də  çeviricilik xarakterli elektrik-yaddaşı hadisələrinin  eksperimental tədqiqi zamanı əldə olunmuş nəticələrin təhlili əsasında   göstərilib ki,  bu zaman əldə olunmuş nəticələr qismən  qeyri-bircins kristal yarımkeçiricilərin fizikasını inkişaf etdirməklə yanaşı, həm də  müasir bərk cisim elektronikasında və opotoelektronikada  maraqlı  praktiki tətbiq imkanlarına malikdir. Bu kristallar əsasında müxtəlif xarakterli və prinsipcə yeni  optik və elektrik yaddaş elementləri  yaratmaq mümkündür.